Photodiode avalanche C30683

InGaAs

Présentation
La série C30683 intègre une photodiode avalanche (APD) et un amplificateur transimpédance (TIA) haute vitesse dans un boîtier hermétique TO-8 pour la détection de très faibles niveaux lumineux. Les modèles sont disponibles en silicon et InGaAs, offrent des bandes passantes jusqu'à 450 MHz, un faible NEP et une sortie différentielle adaptée aux systèmes de détection optique et de télémétrie exigeants.

Notes produit clés

• Thermistor intégré pour le suivi de la température de l'APD et la compensation de la tension haute tension afin de maintenir un gain stable.
• Options d'APD : Silicon (C30737, 500 µm) et InGaAs (C30645, 80 µm ; C30662, 200 µm).
• Numéros de référence typiques : C30683-900-R5DH, C30683-1550-R08DH, C30683-1550-R2BH.

Caractéristiques

• APD intégré avec premier étage de gain dans un boîtier TO-8 hermétique
• Choix de détecteurs Silicon ou InGaAs
• Bande système jusqu'à 450 MHz (selon modèle)
• Capacité de charge 50 Ω AC (ac-couplé)
• Tension d'alimentation de l'amplificateur : +3,3 V
• Sortie différentielle pour rejet de bruit

Applications

• LiDAR et télémétrie
• Communications optiques en espace libre
• Détection en très faible luminosité et instrumentation analytique
• Mesure distribuée de température (DTS)
• Microscopie confocale et bancs d'essai photonique

Spécifications techniques

• Série : C30683
• Boîtier : TO-8 hermétique avec APD intégré et premier étage de gain
• Options APD & tailles typiques : Silicon (C30737, 500 µm) ; InGaAs (C30645, 80 µm ; C30662, 200 µm)
• Responsivité : jusqu'à 550 kV/W (900 nm) ou 120 kV/W (1550 nm), selon modèle
• NEP : jusqu'à 37 fW/√Hz (selon modèle)
• Bande système : jusqu'à 450 MHz (selon modèle)
• Charge : 50 Ω AC (ac-couplé)
• Alimentation de l'amplificateur : +3,3 V
• Sortie : Différentielle
• Contrôle température : thermistor intégré pour compensation de la température de l'APD