Module photodiode à avalanche (APD) C30662 series

Présentation
La série Excelitas C30662 regroupe des photodiodes avalanche InGaAs (APD) grande surface avec une surface active de 200 µm, conçues pour la détection sur 1000–1700 nm. Ces APD offrent une efficacité quantique élevée et une forte réactivité avec un niveau de bruit intrinsèque faible. Disponibles en boîtiers hermétiques TO-18, TO-46, sur support céramique et en SMD pour intégration laboratoire, OEM et production en grande série.

Performances et applications
Les options haute bande passante et faible bruit permettent d'améliorer le rapport signal/bruit pour LiDAR, télémétrie sécurisée pour l'œil et OTDR cohérent. Les variantes à faible bruit étendent la portée de détection pour la détection Raman et augmentent la sensibilité dans les applications de mesure distribuée en fibre (DTS, DAS). Convient aux systèmes OEM nécessitant un gain de fonctionnement stable et une réponse rapide.

Modèles de la série (modèle / type de boîtier / matériau de fenêtre / ouverture / commentaires)
C30662ECERH / Ceramic Carrier / N/A / N/A / (no comment)
C30662ECERH-1 / Ceramic Carrier / N/A / N/A / ΔV > 4 V
C30662EH / TO-18, 2 pin / Glass / Large / (no comment)
C30662EH-1 / TO-18, 2 pin / Glass / Large / ΔV > 4 V
C30662EH-2 / TO-46, 3 pin / Glass / Large / 3. ground pin
C30662EH-137 / TO-18, 2 pin / Glass (pour certaines variantes EH) / Small / low noise, ΔV > 4 V
C30662EH-3 / TO-18, 2 pin / (non spécifié) / Small / (no comment)
C30662EH-5 / TO-18, 2 pin / Silicon / Small / (no comment)
C30662EH-7 / TO-46, 3 pin / Glass / Large / low noise
C30662EH-27 / TO-46, 3 pin / Glass / Large / low noise, 3. ground pin
C30662L-200 / SMD / N/A / N/A / (no comment)
C30662L-200-1 / SMD / Silicon / N/A / (no comment)
C30662L-200-7 / SMD / Glass / N/A / low noise
C30662L-200-17 / SMD / Silicon / N/A / (no comment)

Paramètres électriques / optiques (sélection)
Temps de montée/descente: t_r / t_f = 0,4 ns (max)
Bande passante (−3 dB): typ. 600 MHz, max. 850 MHz
Capacitance: standard typ. 2,5 pF, SMD typ. 2,7 pF
Courant d'obscurité: standard typ. 13 nA (max 35 nA); faible bruit typ. 7,5 nA (max 15 nA)
Bruit d'obscurité (i_N): standard typ. 0,45 pA/√Hz (max 1 pA/√Hz); faible bruit typ. 0,35 pA/√Hz (max 0,5 pA/√Hz)
NEP: standard typ. 48 fW/√Hz (max 106 fW/√Hz); faible bruit typ. 37 fW/√Hz (max 53 fW/√Hz)
Gain de fonctionnement (M): typ. 10, max. 20
Tension de claquage (V_BD): min 45 V, typ. 50 V, max 70 V; point de fonctionnement depuis le claquage (ΔV): typ. 4 V
Plage spectrale: 1000–1700 nm; Efficacité quantique: typ. ~75%
Responsivité @1550 nm: typ. ~9,3 A/W; Coefficient de température de V_BD: typ. 0,14 V/°C (max 0,2 V/°C)

Remarques
Remarque 1 : Les fenêtres en verre transmettent le visible et l'IR ; les fenêtres en silicium bloquent le visible sous ≈1,1 µm.
Remarque 2 : Certaines fenêtres sont revêtues AR pour réduire les réflexions.

Caractéristiques techniques

• Surface active : 200 µm
• Gamme spectrale : 1000 nm – 1700 nm
• Efficacité quantique : ~75% (typique)
• Responsivité à 1550 nm : ~9,3 A/W (typique)
• Bande passante (−3 dB) : typique 600 MHz, jusqu'à 850 MHz
• Temps de montée/descente : typ/max ~0,4 ns
• Gain de fonctionnement (M) : typique 10, jusqu'à 20
• Tension de claquage (VBD) : 45 – 70 V (typ. 50 V)
• Point de fonctionnement depuis le claquage (ΔV) : ~4 V
• Capacitance (standard) : ~2,5 pF ; SMD : ~2,7 pF
• Courant d'obscurité (standard) : typ. 13 nA, max 35 nA ; variantes faible bruit : typ. 7,5 nA, max 15 nA
• Bruit d'obscurité (standard) : 0,45 – 1 pA/√Hz ; faible bruit : 0,35 – 0,5 pA/√Hz
• NEP standard : typ. 48 fW/√Hz, max 106 fW/√Hz ; faible bruit : typ. 37 fW/√Hz, max 53 fW/√Hz
• Options de boîtier : TO-18 (2 broches), TO-46 (3 broches), ceramic carrier, SMD
• Options de fenêtre : Glass (AR-coated), Silicon, ou N/A selon le boîtier
• Variantes optimisées pour LiDAR, OTDR, DTS, DAS et télémétrie eye-safe