LIDAR, avalanche, infrarouge, silicium, sensible aux longueurs d'ondes
Montage
chip on carrier
Description
Description du produit : La photodiode avalanche en silicium (APD) C30737LH-300-73N offre un diamètre actif de 300 µm, une réponse renforcée autour de 800 nm et une bande optique centrée à 650 nm intégrée dans un boîtier céramique sans broches (LCC) avec une fenêtre en verre 3×3 mm.
Caractéristiques principales :
Haute responsivité filtrée à 650 nm
Faible bruit et temps de montée très rapide ; réponse en fréquence supérieure à 700 MHz
Diamètre actif de 300 µm optimisé pour le proche infrarouge (800 nm)
Filtre optique intégré à 650 nm (fenêtre)
Boîtier en céramique sans broches (LCC) avec fenêtre en verre
Applications :
Télémétrie laser
Télémètres / mètres de distance
Balayage de zones et systèmes de sécurité
Applications à coût maîtrisé nécessitant un détecteur performant
Spécifications techniques :
Diamètre actif : 300 µm
Longueur d'onde de sensibilité maximale : 650 nm
Tension de claquage Vbd : 110–165 V
Coefficient de température de Vop pour M constant : 0,6 V/°C
Gain : 100 @ 800 nm
Responsivité : 30 A/W à 650 nm
Courant sombre Id : 1 nA
Courant de bruit : 0,2 pA/√Hz
Capacitance : 0,7 pF
Fréquence de coupure : 700 MHz
Température de stockage : -40°C à +100°C
Température d'utilisation : -20°C à +60°C
Boîtier : fenêtre en verre 3×3 mm, boîtier céramique sans broches (LCC)
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.
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