PrésentationLes photodiodes avalanche C30902EH d'Excelitas sont des APD silicium « reach-through » à grande surface et haute vitesse, conçues pour des applications en faible luminosité nécessitant des gains typiques supérieurs à 100. Elles sont conditionnées dans des boîtiers TO-18 modifiés avec fenêtre en verre plat, disponibles en plusieurs configurations (verre plat, lentille sphérique, guide de lumière et filtre 905 nm). Le diamètre utile de la surface photosensible est de 0,5 mm.
Détails clésLa série C30902EH est fabriquée avec une structure double-diffusée « reach-through » offrant une haute responsivité entre 400 nm et 1000 nm et des temps de montée/descente très rapides. La responsivité est indépendante de la fréquence de modulation jusqu'à typ. 800 MHz. La puce détectrice est hermétiquement scellée derrière une fenêtre en verre plat dans un boîtier TO-18 modifié. La famille comprend également une variante APD capable de détection de photon unique (SPAD) (C30902SH) utilisable en modes Geiger et linéaire.
Avantages et caractéristiques- APD Si 0,5 mm en boîtier TO-18
- Haute efficacité quantique – 84% typ. à 800 nm
- Faible bruit à température ambiante
- Haute responsivité – gains d'avalanche internes >150
- Plage spectrale – 400 à 1100 nm
- Réponse temporelle – typ. 0,4 ns
- Large plage de température de fonctionnement -40°C à +85°C
Applications- Mesures LiDAR / Time-of-Flight (ToF)
- Réflectométrie optique dans le domaine temporel (OTDR)
- Fluorescence faibles signaux
- Scan laser
Caractéristiques techniques- Zone active : 0,2 mm²
- Diamètre actif : 0,5 mm
- Tension de claquage : Typ. 225 V
- Capacitance : 1,5 pF
- Coefficient de température : Typ. 0,7 V/°C
- Courant d'obscurité : 7 nA
- Bruit d'obscurité : 0,1 pA/√Hz
- Puissance équivalente de bruit : 1,23 fW/√Hz
- Responsivité typique : 80 A/W à 800 nm
- Gain recommandé : 150
- Boîtier : TO-18, fenêtre plate