Photodiode silicium VTB8441H

infrarougeUVsensible aux longueurs d'ondes

Aperçu du produit
Le VTB8441H est une photodiode au silicium à sensibilité renforcée dans le bleu, logée dans un boîtier céramique encastré de 8 mm avec protection en époxy translucide. Elle offre une réponse améliorée dans le spectre bleu, une très haute résistance de fuite (shunt) et un faible courant d'obscurité. La diode dispose d'une surface active de 5,16 mm² et d'une réponse spectrale de 320 nm à 1100 nm. Conçue en P-on-N planar, elle est optimisée pour le visible et destinée principalement au mode photovoltaïque, avec possibilité d'un petit biais inverse. La forte résistance de shunt réduit les offsets dans les amplificateurs transimpédance à gain élevé.

Caractéristiques & Avantages

• Plage spectrale UV au proche IR
• Linéarité 1 %–2 % sur 7 à 9 décades
• Très faible courant d'obscurité
• Très haute résistance de shunt
• Conforme RoHS

Applications

• Détection UV et lumière bleue
• Luxmètres et mesure de lumière
• Surveillance de flammes
• Photométrie

Spécifications techniques

• Surface active = 5,16 mm²
• Plage spectrale = 320 nm à 1100 nm
• Réponse spectrale maximale = 920 nm
• Sensibilité au pic = Typ. 0,5 A/W
• Courant de court‑circuit = Minimum 35 µA à 100 fc, 2850 K
• Courant d'obscurité = Maximum 100 pA à 2 V de polarisation inverse
• Capacité de jonction = Typ. 1,0 nF à 0 V de polarisation
• Réponse angulaire = ±50° à 50 % de réponse
• Boîtier = boîtier céramique encastré 8 mm avec protection époxy transparente
• Construction = photodiode plan P-on-N en silicium, couche renforcée pour le bleu, très haute résistance de shunt, faible courant d'obscurité