Photodiode infrarouge C30822EH

siliciumPIN

Présentation
Le C30822EH est une photodiode PIN en silicium (Si) avec une puce de diamètre actif 5,0 mm, logée dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé. Elle couvre la plage spectrale 300 nm à 1100 nm et est disponible avec des surfaces photosensibles de 0,8 mm² à 100 mm².

Caractéristiques et avantages

• Photodiode PIN en silicium (Si)
• Boîtier TO-8 hermétique
• Puce de 5,0 mm de diamètre actif
• Traitement antireflet optimisé pour 900 nm
• Responsivité élevée
• Temps de réponse rapide
• Faible tension de fonctionnement
• Faible capacitance
• Construction hermétique
• Conforme RoHS

Applications

• Systèmes de détection laser
• Photométrie
• Transmission de données
• Instrumentation
• Commutation haute vitesse

Caractéristiques techniques

• Tension de claquage : >100 V
• Capacitance : 12 pF
• Courant d'obscurité : 50 nA / <250 nA
• Courant de bruit : 130 fW/√Hz
• Longueur d'onde de pic : 900 nm
• Responsivité : 0,6 A/W (à 900 nm)
• Temps de montée/descente : <20 ns / <20 ns