Module photodiode à avalanche (APD) C30927EH-02

Description du produit
Le C30927EH-02 est une photodiode avalanche en silicium à quatre quadrants avec un diamètre utile de 1,55 mm, dotée d'une structure doublement diffusée de type "reach-through". La conception en quadrants utilise une jonction d'avalanche commune; la séparation des quadrants est obtenue par la segmentation de la surface p+ côté entrée de lumière, supprimant ainsi tout espace mort entre les éléments et préservant la réponse à l'axe optique. Le dispositif est optimisé pour une utilisation à 900 nm et présente une responsivité élevée lorsqu'il est exploité dans environ ±50 nm de la longueur d'onde spécifiée.

Caractéristiques clés

• Angle plein pour surface photosensible totalement éclairée supérieur à 90°
• Haute efficacité quantique optimisée pour 900 nm
• Réponse temporelle rapide
• Large zone active : 1,77 mm²
• Boîtier TO-8 hermétique et profil bas

Applications

• Suivi
• Alignement
• Identification « ami ou ennemi »

Caractéristiques / Spécifications techniques

• Plage de tension de claquage (V) : 350 à 485
• Tension de claquage typique (V) : 425
• Gain typique (M) : 100
• Coefficient de température typique pour gain constant (V/°C) : 2.4
• Responsivité minimale à 900 nm (A/W) : 50
• Responsivité typique à 900 nm (A/W) : 62
• Courant noir total typique (nA) : 100
• Courant noir total maximal (nA) : 200
• Courant de bruit typique par élément (pA/√Hz) : 1.0
• Courant de bruit maximal par élément (pA/√Hz) : 1.5
• Capacitance totale typique de tous les quadrants (pF) : 3
• Capacitance totale maximale de tous les quadrants (pF) : 5
• Résistance série maximale (Ω) : 15
• Temps de montée et descente typique (ns) : 3
• Température de stockage (°C) : -60 à 120
• Température de fonctionnement (°C) : -40 à 60