Module photodiode à avalanche (APD) C30659-1550-R08BH

Présentation
La série C30659 est un récepteur APD InGaAs associant une photodiode avalanche InGaAs à un préamplificateur hybride basse bruit, logés dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé. La variante C30659-1550-R08BH intègre un détecteur Excelitas C30645EH optimisé pour 1550 nm, offrant une réponse rapide et un faible bruit pour applications fibre optique et instrumentation.

Conception et fonctionnement
Le récepteur utilise une topologie d'amplificateur inverseur avec un suiveur d'émetteur en sortie. L'étage d'entrée du préamplificateur repose sur un FET GaAs très faible bruit, permettant une transimpédance plus élevée par rapport aux conceptions standards et un conditionnement de signal fiable jusqu'à la bande passante spécifiée.

Détails du détecteur
La série utilise des APD Si ou InGaAs selon la variante. Le C30659-1550-R08BH contient le détecteur Excelitas C30645EH InGaAs. Ces détecteurs présentent une bonne sensibilité entre ~830 nm et 1550 nm et des temps de montée/descente rapides, adaptés à la détection optique haute vitesse à 1550 nm.

Principales caractéristiques

• Bande passante système : 200 MHz
• NEP ultra-faible :
  • 250 fW/√Hz à 1300 nm
  • 220 fW/√Hz à 1550 nm
• Réponse spectrale : pic à 1550 nm
• Consommation typique : 150 mW
• Alimentation de l'amplificateur : ±5 V
• Sortie : capacité de charge 50 Ω en AC (couplée)
• Boîtier : TO-8 hermétiquement scellé
• Détecteur inclus : Excelitas C30645EH InGaAs APD (optimisé pour 1550 nm)

Caractéristiques techniques

• Bande passante système : 200 MHz
• NEP : 250 fW/√Hz à 1300 nm ; 220 fW/√Hz à 1550 nm
• Réponse spectrale : pic à 1550 nm ; réponse entre ~830 nm et 1550 nm
• Consommation typique : 150 mW
• Tensions de fonctionnement de l'amplificateur : ±5 V
• Sortie : capacité de charge 50 Ω (AC couplée)
• Boîtier : TO-8 hermétiquement scellé
• Détecteur inclus dans cette variante : Excelitas C30645EH InGaAs APD (optimisé pour 1550 nm)
• Éléments de conception : amplificateur inverseur avec suiveur d'émetteur ; front-end FET GaAs faible bruit pour transimpédance élevée