Photodiode silicium C30737PH-230-80N

LIDARavalanche

Présentation La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737PH-230-80N offre un diamètre actif de 230 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un boîtier plastique T 1¾ à montage traversant. Caractéristiques principales

• Réponse élevée entre 500 et 1 000 nm
• Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde, avec une réponse en fréquence supérieure à 1,5 GHz
• Diamètre actif de 230 μm et optimisation pour une sensibilité maximale à 800 nm
• Option boîtier plastique T1¾ « PH »

Applications

• LiDAR
• Télémétrie laser
• Balayage de sécurité
• Applications nécessitant un détecteur économique et hautement performant

Caractéristiques techniques (tableau) Diamètre actif : 230 μm Longueur d'onde de sensibilité maximale : 800 nm Tension de claquage Vbd : 120-210 (binning disponible) Coefficient de température de Vop pour M constant : 0,5 V/°C Gain : 100 à 800 nm Réponse : 50 A/W à 800 nm Courant d'obscurité Id : 0,05 < 0,5 nA Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz Capacité : 1 pF Temps de montée/descente : 0,2 ns pour une charge R = 50 Ω Fréquence de coupure : 1,5 GHz Température de stockage : de -50 °C à +100 °C Température de fonctionnement : de -40 °C à +85 °C Boîtier : plastique T 1-3/4 à montage traversant caractéristiques / spécifications techniques

• Diamètre actif : 230 μm
• Longueur d'onde de sensibilité maximale : 800 nm
• Tension de claquage Vbd : 120-210 (classement par bin disponible)
• Coefficient de température de Vop pour M constant : 0,5 V/°C
• Gain : 100 à 800 nm
• Sensibilité : 50 A/W à 800 nm
• Courant d’obscurité Id : 0,05 < 0,5 nA
• Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
• Capacité : 1 pF
• Temps de montée/descente : 0,2 ns (charge R = 50 Ω)
• Fréquence de coupure : 1,5 GHz
• Température de stockage : de -50 °C à +100 °C
• Température de fonctionnement : de -40 °C à +85 °C
• Boîtier : plastique T 1-3/4 à montage traversant