Photodiode infrarouge C30737LH-500-83N
avalanchesiliciumsensible aux longueurs d'ondes

Photodiode infrarouge - C30737LH-500-83N - Excelitas Technologies - PCO - avalanche / silicium / sensible aux longueurs d'ondes
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Caractéristiques

Spécifications
infrarouge, avalanche, silicium, sensible aux longueurs d'ondes, LIDAR

Description

Aperçu du produit
Le C30737LH-500-83N est une photodiode avalanche au silicium (Si APD) avec un diamètre actif de 500 µm, sensibilité optimisée à 800 nm et filtre optique à bande passante 650 nm. Fourni en boîtier céramique sans plomb (LCC), option 'LH', il convient à l'intégration OEM compacte nécessitant une sensibilité étroite et une réponse temporelle rapide.

Caractéristiques principales
  • Haute responsivité avec filtre bande passante intégré à 650 nm
  • Faible bruit et temps de montée rapide sur l'ensemble des longueurs d'onde ; réponse en fréquence > 1,3 GHz
  • Grand diamètre actif de 500 µm optimisé pour l'infrarouge proche (800 nm)
  • Boîtier céramique sans plomb (LCC) option 'LH' pour montage compact
  • Gain ≈ 100 à 650 nm, responsivité élevée (35 A/W à 650 nm)

Applications
  • LiDAR et détecteurs temps de vol
  • Télémétrie et télémesure laser
  • Systèmes de sécurité et de scanning
  • Détecteurs OEM pour détection photonique performante et économique

Caractéristiques / spécifications techniques
  • Diamètre actif : 500 µm
  • Longueur d'onde de sensibilité maximale : 650 nm
  • Tension de claquage Vbd : 120–210 V (tri disponible)
  • Coefficient thermique de Vop pour M constant : 0,5 V/°C
  • Gain : 100 @ 650 nm
  • Responsivité : 35 A/W à 650 nm
  • Courant sombre Id : <1 nA (typ. 0,1 nA)
  • Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
  • Capacitance : 2 pF
  • Temps de montée/descente : 0,3 ns (Rload = 50 Ω)
  • Fréquence de coupure : 1,3 GHz
  • Température de stockage : -50 °C à +100 °C
  • Température de fonctionnement : -40 °C à +85 °C
  • Boîtier : fenêtre en verre 3 × 3 mm, boîtier céramique sans plomb (LCC)
  • Fenêtre : filtre 650 nm

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