Aperçu du produitLe C30737LH-500-83N est une photodiode avalanche au silicium (Si APD) avec un diamètre actif de 500 µm, sensibilité optimisée à 800 nm et filtre optique à bande passante 650 nm. Fourni en boîtier céramique sans plomb (LCC), option 'LH', il convient à l'intégration OEM compacte nécessitant une sensibilité étroite et une réponse temporelle rapide.
Caractéristiques principales- Haute responsivité avec filtre bande passante intégré à 650 nm
- Faible bruit et temps de montée rapide sur l'ensemble des longueurs d'onde ; réponse en fréquence > 1,3 GHz
- Grand diamètre actif de 500 µm optimisé pour l'infrarouge proche (800 nm)
- Boîtier céramique sans plomb (LCC) option 'LH' pour montage compact
- Gain ≈ 100 à 650 nm, responsivité élevée (35 A/W à 650 nm)
Applications- LiDAR et détecteurs temps de vol
- Télémétrie et télémesure laser
- Systèmes de sécurité et de scanning
- Détecteurs OEM pour détection photonique performante et économique
Caractéristiques / spécifications techniques- Diamètre actif : 500 µm
- Longueur d'onde de sensibilité maximale : 650 nm
- Tension de claquage Vbd : 120–210 V (tri disponible)
- Coefficient thermique de Vop pour M constant : 0,5 V/°C
- Gain : 100 @ 650 nm
- Responsivité : 35 A/W à 650 nm
- Courant sombre Id : <1 nA (typ. 0,1 nA)
- Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
- Capacitance : 2 pF
- Temps de montée/descente : 0,3 ns (Rload = 50 Ω)
- Fréquence de coupure : 1,3 GHz
- Température de stockage : -50 °C à +100 °C
- Température de fonctionnement : -40 °C à +85 °C
- Boîtier : fenêtre en verre 3 × 3 mm, boîtier céramique sans plomb (LCC)
- Fenêtre : filtre 650 nm