Photodiode sensible aux longueurs d'ondes C30807EH

siliciumPIN

Présentation du produit
Le C30807EH est une photodiode PIN en silicium de type N avec une puce de diamètre actif 1,0 mm, logée dans un boîtier TO-18 hermétiquement scellé. Elle couvre la plage spectrale 300 nm à 1100 nm et appartient à une série proposant des surfaces photosensibles de 0,8 mm² à 100 mm².

Caractéristiques & avantages :

• Haute réactivité (typ. 0,6 A/W à 900 nm)
• Temps de montée/descente rapides (<5 / <10 ns)
• Faible tension d'utilisation et faible courant d'obscurité
• Faible capacité (2,5 pF)
• Boîtier TO-18 étanche pour une performance stable
• Conforme RoHS

Applications :

• Systèmes de détection et de surveillance laser
• Instruments de photométrie et de mesure lumineuse
• Récepteurs pour transmission de données optique
• Instrumentation de précision et capteurs
• Commutation optique haute vitesse

Spécifications (typique) :
Tension de claquage : >100 V
Capacité : 2,5 pF
Courant d'obscurité : 10 nA / <50 nA
Courant de bruit : 60 fW/√Hz
Longueur d'onde maximale : 900 nm
Réactivité : 0,6 A/W à 900 nm
Temps de montée/descente : <5 ns / <10 ns

Caractéristiques techniques

• Type de dispositif : photodiode PIN silicium de type N
• Diamètre actif : 1,0 mm
• Boîtier : TO-18 hermétiquement scellé
• Plage spectrale : 300 nm à 1100 nm
• Gamme de surface photosensible (série) : 0,8 mm² à 100 mm²
• Conforme RoHS