LIDAR, sensible aux longueurs d'ondes, silicium, avalanche
Montage
chip on carrier
Description
Aperçu du produit La photodiode à avalanche en silicium C30737LH-500-90N (APD) offre un diamètre actif de 500 µm avec une réponse renforcée autour de 900 nm. Fourni en boîtier céramique sans broches (LCC) avec l'option "LH", elle est conçue pour une détection rapide et à faible bruit dans un format compact.
Caractéristiques principales
Haute réactivité entre 500 et 1000 nm, optimisée près de 900 nm
Faible bruit et montée rapide avec réponse en fréquence > 380 MHz
Diamètre actif de 500 µm pour une surface de collecte plus importante
Option boîtier céramique sans broches "LH" disponible
Applications
Systèmes LiDAR
Télémétrie laser
Capteurs de sécurité et de scan
Applications exigeant un détecteur performant et économique
Caractéristiques techniques
Diamètre actif : 500 µm
Longueur d'onde de sensibilité maximale : 900 nm
Tension de claquage Vbd : 180–260 V (binning disponible)
Coefficient de température de Vop pour M constant : 1,3 V/°C
Gain : 100 @ 900 nm
Réponse (Responsivity) : 60 A/W à 900 nm
Courant d'obscurité Id : <1 nA (0,1 indiqué)
Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
Capacitance : 1 pF
Temps de montée/descente : 0,9 ns (R charge = 50 Ω)
Fréquence de coupure : 380 MHz
Température de stockage : -50 °C à +100 °C
Température de fonctionnement : -40 °C à +85 °C
Boîtier : fenêtre en verre 3 × 3 mm, boîtier céramique sans broches (LCC)
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.
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