Module photodiode à avalanche (APD) C30659-1550E-R08BH

Présentation
La série C30659 de récepteurs APD InGaAs intègre une photodiode avalanche InGaAs (APD) et un préamplificateur hybride dans un boîtier TO-8 hermétique pour une exploitation à bruit ultra-faible. La variante C30659-1550E-R08BH comprend une APD InGaAs C30645EH optimisée pour 1550 nm avec une surface active de 80 µm.

Conception et performances
La série utilise une architecture d'amplificateur inverseur avec un suiveur d'émetteur en sortie. L'étage préamplificateur emploie un FET GaAs très faible bruit, conçu pour fonctionner à une transimpédance supérieure à celle de la série C30950. Les détecteurs InGaAs offrent une bonne réponse entre 830 nm et 1550 nm et des temps de montée/descente rapides sur ces longueurs d'onde.

Principales caractéristiques

• APD hybride et préamplificateur dans un boîtier TO-8 hermétique
• APD InGaAs C30645EH optimisée pour 1550 nm (variante présente)
• Surface active de 80 µm
• Conception avec seuil d'endommagement élevé

Applications
Systèmes de détection optique et capteurs nécessitant une sensibilité élevée, un bruit ultra-faible et une réponse rapide dans le proche infrarouge, notamment autour de 1550 nm.

Caractéristiques techniques

• Référence : C30659-1550E-R08BH
• Série : C30659
• Bande passante système : 200 MHz
• NEP : 250 fW/√Hz à 1300 nm ; 220 fW/√Hz à 1550 nm
• Réponse spectrale : pic à 1550 nm (bonne réponse entre 830 nm et 1550 nm)
• Consommation typique : 150 mW
• Tensions d'alimentation de l'amplificateur : ±5 V
• Capacité de charge AC 50 Ω (couplage AC)
• Boîtier : TO-8 hermétique
• Front-end préamplificateur : FET GaAs très faible bruit