Photodiode LIDAR C30737LH-300-71N
siliciumavalanchesensible aux longueurs d'ondes

Photodiode LIDAR - C30737LH-300-71N - Excelitas Technologies - PCO - silicium / avalanche / sensible aux longueurs d'ondes
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Caractéristiques

Spécifications
LIDAR, silicium, avalanche, sensible aux longueurs d'ondes, infrarouge
Montage
chip on carrier

Description

Aperçu produit
Le C30737LH-300-71N est une photodiode avalanche en silicium (Si APD) avec un diamètre actif de 300 µm, conditionnée en boîtier céramique sans broches (LCC). Elle intègre un filtre optique passe-bande à 635 nm et présente une réponse améliorée autour de 800 nm. Conçue pour la détection rapide et à faible bruit dans des systèmes optoélectroniques compacts.

Caractéristiques principales
  • Filtre passe-bande optique centré sur 635 nm pour une détection sélective en longueur d'onde.
  • Haute réactivité et faible bruit avec temps de montée rapide ; réponse en fréquence supérieure à 700 MHz.
  • Diamètre actif 300 µm, sensibilité optimisée près de 800 nm.
  • Boîtier Leadless Ceramic Carrier (LCC) pour une intégration compacte.
  • Gain et réactivité adaptés aux applications de télémétrie laser et mesures de distance.

Applications
  • Télémètres laser et récepteurs LIDAR
  • Mesures de distance et appareils de mesure industriels
  • Systèmes de balayage de zones et de sécurité
  • Applications à coût maîtrisé nécessitant un détecteur performant

Spécifications techniques
  • Diamètre actif : 300 µm
  • Longueur d'onde de sensibilité maximale : 635 nm
  • Tension de claquage (Vbd) : 110–165 V
  • Coefficient de température de Vop pour M constant : 0,6 V/°C
  • Gain : 100 @ 800 nm
  • Réactivité : 30 A/W à 635 nm
  • Courant d'obscurité (Id) : 1 nA
  • Courant de bruit : 0,2 pA/√Hz
  • Capacité : 0,7 pF
  • Fréquence de coupure : 700 MHz
  • Température de stockage : -40 °C à +100 °C
  • Température de fonctionnement : -20 °C à +60 °C
  • Boîtier : LCC 3×3 mm avec fenêtre en verre
  • Fenêtre : Filtre 635 nm

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