Photodiode silicium FFD-100H
PIN

Photodiode silicium - FFD-100H - Excelitas Technologies - PCO - PIN
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Caractéristiques

Spécifications
silicium
Montage
PIN

Description

Présentation
Le FFD-100H est une photodiode PIN en silicium grande surface d'un diamètre actif de 2,5 mm, logée dans un boîtier TO-5 hermétique. Elle offre une responsivité élevée de 400 à 1150 nm avec un pic de réponse autour de 920 nm et des temps de montée/descente ultrarapides de 1 ns. Le composant présente un faible courant d'obscurité, un faible NEP et fonctionne sous faible tension de polarisation, adapté aux détections optiques haute vitesse en milieu industriel et instrumentations.

Caractéristiques & avantages
  • Photodiode PIN silicium grande surface
  • Boîtier métallique TO-5 hermétique
  • Diamètre actif : 2,5 mm
  • Temps de montée/descente ultrarapide : 1 ns
  • Puce photodiode isolée à faible capacitance


Applications
  • Systèmes de détection et de surveillance laser
  • Contrôle de puissance laser et dispositifs de sécurité
  • Détection d'impulsions rapides pour l'inspection de semi-conducteurs
  • Instruments de mesure haute vitesse
  • Commutation optique à haute vitesse


Spécifications techniques
  • Tension de claquage : 150 V
  • Capacitance : 8,5 pF
  • Courant d'obscurité : < 25 nA
  • Courant de bruit : < 90 fA/√Hz
  • Boîtier : TO-5 (hermétique)
  • Diamètre actif : 2,5 mm
  • Plage spectrale : 400 nm – 1150 nm
  • Responsivité : 0,6 A/W (typ.)
  • Pic de responsivité (aperçu) : 920 nm ; Pic (tableau spec.) : 850 nm
  • Temps de montée/descente : 1 ns
  • Faible NEP et faible tension de fonctionnement

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