Module photodiode à avalanche (APD) C30645 series

Présentation du produit
La série C30645 regroupe des photodiodes avalanche InGaAs grand format avec une zone active de 80 µm, optimisées pour la détection entre 1000 et 1700 nm. Disponibles en boîtiers hermétiques TO-18 et TO-46, sur support céramique et en SMD, ces APD offrent une responsivité élevée à 1550 nm et des options basse-bruit adaptées aux systèmes de détection et fibre optique à grande vitesse.

Applications et avantages
Conçue pour les OEM et intégrateurs système, la série C30645 équilibre bande passante et niveau de bruit pour améliorer le rapport signal/bruit (SNR) dans des applications exigeantes.

• LiDAR et télémétrie eye-safe — portée de détection augmentée avec les variantes basse-bruit
• OTDR cohérent et capteurs distribués (DTS, DAS) — sensibilité améliorée pour les signaux Raman ou rétrodiffusés
• Recepteurs télécoms haute vitesse et équipements de test optique — large bande passante et temps de montée/descente rapides

Modèles et options de boîtier

• C30645ECERH | Support céramique | Fenêtre : N/A | Ouverture : N/A
• C30645EH | TO-18 (2 broches) | Fenêtre : Silicium | Ouverture : Petite (option AR)
• C30645EH-1 | TO-18 (2 broches) | Fenêtre : Verre | Ouverture : Grande (option AR)
• C30645EH-2 | TO-46 (3 broches) | Fenêtre : voir tableau | Remarque : 3 = broche de masse
• C30645EH-7 | TO-18 (2 broches) | Fenêtre : Silicium | Ouverture : Petite | option basse-bruit
• C30645EH-27 | TO-46 (3 broches) | Fenêtre : Verre | Ouverture : Grande | basse-bruit, 3 = broche de masse
• C30645L-080 | SMD | Fenêtre : Verre | Ouverture : N/A
• C30645L-080-1 | SMD | Fenêtre : Silicium | Ouverture : N/A
• C30645L-080-7 | SMD | Fenêtre : Verre | Ouverture : N/A | option basse-bruit
• C30645L-080-17 | SMD | Fenêtre : Silicium | Ouverture : N/A

Notes
Note 1 : Les fenêtres en verre sont transparentes aux longueurs d'onde visibles et IR ; les fenêtres en silicium bloquent le visible jusqu'à ≈1,1 µm.
Note 2 : Option de fenêtre avec revêtement anti-reflets (AR) pour réduire les réflexions.

Caractéristiques électriques / optiques

• Zone active : 80 µm
• Plage spectrale : 1000–1700 nm
• Responsivité typique @1550 nm : 9,3 A/W
• Temps de montée/descente typique : 0,3 ns
• Bande passante minimale (f3dB) : 1000 MHz
• Capacitance : typ. 1,25 pF (standard), 1,45 pF (SMD)
• Courant d'obscurité (typ.) : 2,5 nA (standard), 1 nA (SMD) ; max : 15 nA (standard), 5 nA (SMD)
• Bruit d'obscurité (typ.) : 0,2 pA/√Hz (standard) ; basse-bruit : 0,1 pA/√Hz
• NEP (typ.) : 25 fW/√Hz (standard) ; basse-bruit : 11 fW/√Hz
• Gain de fonctionnement (M) : min 10, typ. 20
• Tension de claquage (V_BD) : min 45 V, typ. 50 V, max 70 V
• Coefficient de température de V_BD : typ. 0,14 V/°C, max 0,2 V/°C

Principales caractéristiques

• Zone active de 80 µm pour une efficacité de collecte élevée
• Optimisée pour 1000–1700 nm, adaptée aux longueurs d'onde de fibre et eye-safe
• Option basse-bruit pour portée et sensibilité accrues
• Plusieurs boîtiers : TO-18, TO-46, support céramique, SMD
• Large bande passante et temps de montée/descente sub-ns pour systèmes haute vitesse
• Faible capacitance adaptée aux étages d'entrée rapides