Module photodiode à avalanche (APD) C30659-UV-1

Aperçu
Le C30659-UV-1 intègre une photodiode avalanche en silicium optimisée pour l'UV (Si APD) et un préamplificateur hybride dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé, permettant une détection à très faible niveau de bruit pour les applications sensibles à l'UV.

Détails
Les Si APD optimisés pour l'UV offrent une bonne sensibilité entre 400 nm et 950 nm ainsi que des temps de montée et de descente rapides sur l'ensemble du spectre. La section préamplificatrice du module utilise une entrée GaAs FET à très faible bruit, conçue pour fonctionner à une transimpédance plus élevée que la série standard C30950, améliorant l'amplification du signal pour les mesures en faible luminosité.

Caractéristiques techniques / spécifications

• Bande passante du système : 50 MHz
• Puissance équivalente de bruit ultra-faible (NEP) : 10 fW/√Hz à 500 nm
• Plage de réponse spectrale : 400 à 950 nm
• Consommation électrique typique : 150 mW
• Tensions d'alimentation de l'amplificateur : ±5 V
• Capacité de charge 50 Ω en AC (couplage AC)
• Boîtier TO-8 hermétiquement scellé
• Haute fiabilité