Photodiode silicium VTB8440BH

sensible aux longueurs d'ondes

Description du produit
Le VTB8440BH est une photodiode en silicium améliorée pour le bleu, logée dans un boîtier céramique encastré de 8 mm et protégée par une couche époxy transparente. Un filtre de rejet IR intégré limite la réponse au spectre visible. Cette photodiode présente une très haute résistance de fuite et un courant d'obscurité très faible, adaptées aux mesures de lumière de précision.

Informations complémentaires
Le VTB8440BH offre une surface active de 5,16 mm² et est principalement conçu pour un fonctionnement en mode photovoltaïque ; une faible polarisation inverse peut être appliquée si nécessaire. Sa haute résistance de fuite réduit les décalages dans les circuits amplificateurs transimpédance à gain élevé.

Caractéristiques et avantages

• Réponse spectrale visible (330–720 nm)
• Linéarité 1 %–2 % sur 7 à 9 décades
• Courant d'obscurité très faible (≤2 nA à 2 V en polarisation inverse)
• Très haute résistance de fuite pour de faibles offsets
• Conforme RoHS

Applications

• Détection de lumière ambiante
• Luxmètres et photométrie
• Surveillance de flammes
• Photodétection scientifique et industrielle

Caractéristiques techniques

• Surface active = 5,16 mm²
• Courant de court-circuit = Min. 4 µA à 100 fc, 2850 K
• Courant d'obscurité = Max. 2 nA à 2 V polarisation inverse
• Capacité de jonction = Typ. 1,0 nF à 0 V
• Plage spectrale = 330 nm à 720 nm
• Réponse spectrale maximale = 580 nm
• Sensibilité au pic = Typ. 0,29 A/W
• Réponse angulaire = ±50° à 50 % de réponse