Photodiode silicium C30737CH series

LIDARsensible aux longueurs d'ondesavalanche

Description du produit :
La photodiode avalanche en silicium C30737CH-300-70 (Si APD) offre un diamètre actif de 300 μm et une réponse optimisée à 800 nm dans un boîtier laminé sans broches orienté latéralement (LCC), adapté aux assemblages de détecteurs compacts.

Caractéristiques principales :

• Sensibilité élevée entre 500 et 1000 nm
• Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide sur l'ensemble des longueurs d'onde avec un réponse en fréquence supérieure à 700 MHz
• Diamètre actif de 300 μm, optimisé pour 800 nm
• Boîtier laminé sans broches avec option "CH"

Applications :

• Télémétrie laser
• Distancemètres
• Balayage de zones et de systèmes de sécurité
• Applications nécessitant un détecteur performant et économique

Spécifications techniques :

• Diamètre actif : 300 μm
• Longueur d'onde de sensibilité maximale : 800 nm
• Tension de claquage Vbd : 110-160 V
• Gain : 100 @ 800 nm
• Sensibilité (Responsivity) : 35 A/W à 635 nm
• Courant d'obscurité : 1 nA
• Courant de bruit : 0,2 pA/√Hz
• Capacité : 0,7 pF
• Fréquence de coupure : 700 MHz
• Température de stockage : -20°C à +70°C
• Température de fonctionnement : -10°C à +50°C
• Boîtier : 2x4 mm FR4 époxy, boîtier laminé sans broches orienté latéralement