avalanche, LIDAR, top view, sensible aux longueurs d'ondes, silicium, infrarouge
Montage
chip on carrier
Description
Aperçu du produit La photodiode à avalanche en silicium C30737MH-230-90N (Si APD) présente un diamètre actif de 230 µm et est optimisée pour une réponse renforcée à 900 nm. Elle est fournie en boîtier laminé sans pattes (LLC) avec l'option MH pour une intégration compacte face supérieure.
Caractéristiques principales
Haute réactivité entre 500 et 1000 nm, optimisée à 900 nm
Faible bruit et temps de montée très rapides avec bande passante au-delà de 380 MHz
Diamètre actif de 230 µm pour une collecte lumineuse efficace
Option boîtier laminé sans pattes 'MH' pour un montage compact
Applications
Systèmes LiDAR
Télémétrie laser
Équipements de sécurité et de scan
Applications de détection performantes à coût maîtrisé
Caractéristiques / Spécifications techniques
Diamètre actif : 230 µm
Longueur d'onde de sensibilité maximale : 900 nm
Tension de claquage (Vbd) : 180–260 V (binning disponible)
Coefficient de température de Vop pour M constant : 1,3 V/°C
Gain : 100 @ 900 nm
Réactivité : 60 A/W à 900 nm
Courant d'obscurité (Id) : typ. 0,05 nA, max <0,5 nA
Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
Capacitance : 0,6 pF
Temps de montée/descente : 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
Fréquence de coupure : 380 MHz
Température de stockage : -50 °C à +100 °C
Température de fonctionnement : -40 °C à +85 °C
Boîtier : 2 x 1,75 mm face supérieure FR4 epoxy, boîtier laminé sans pattes (LLC)
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.
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