Photodiode QPD YAG-444-4
à quadrantsinfrarougesilicium

Photodiode QPD - YAG-444-4 - Excelitas Technologies - PCO - à quadrants / infrarouge / silicium
Photodiode QPD - YAG-444-4 - Excelitas Technologies - PCO - à quadrants / infrarouge / silicium
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Caractéristiques

Spécifications
QPD, à quadrants, infrarouge, silicium, sensible aux longueurs d'ondes
Montage
PIN

Description

Présentation produit
La série YAG-444-4 regroupe des photodiodes quadrantes en Si PIN, logées dans des boîtiers TO hermétiques, conçues pour la détection de position et les applications à 1064 nm. Disponibles en configuration N ou P, ces dispositifs intègrent un anneau de protection collectant le courant périphérique et disposent d'un grand diamètre actif pour des mesures de position fiables sur faisceaux focalisés ou défocalisés en mode impulsionnel ou continu.

Principales caractéristiques
  • Haute efficacité quantique à 1064 nm
  • Diaphonie <1% entre éléments
  • Absence de zones mortes entre quadrants (type P)
  • Boîtier hermétique TO-can (TO-36 personnalisé)
  • Disponibles en N et P, option chauffage (-H) et traitement antireflet (-AR / -ARH)

Images représentatives
Images produit et courbes de responsivité spectrale disponibles sur la fiche produit.

Caractéristiques / Spécifications techniques
  • Nombre d'éléments : 4
  • Diamètre actif (mm) : 11,3
  • Surface active par élément (mm²) : 25
  • Capacité typique par quadrant (pF) : 12
  • Responsivité typique à 900 nm (A/W) : 0,60
  • Responsivité typique à 1064 nm (A/W) : 0,44
  • Responsivité typique à 1064 nm pour suffixes -AR et -ARH (A/W) : 0,47
  • Temps de montée typique, charge 50Ω (ns) : 12
  • Tension de fonctionnement maximale (V) : 180
  • Tension de claquage minimale (V) : 200
  • Capacité typique par élément (pF) : 9
  • Capacité maximale par élément (pF) : 15
  • Courant d'obscurité typique par élément (nA) : 30
  • Courant d'obscurité maximal par élément (nA) : 100
  • Courant de bruit typique par élément (pA/√Hz) : 0,20
  • NEP à 900 nm par élément (pW/√Hz) : 0,25
  • NEP à 1064 nm par élément (pW/√Hz) : 0,30
  • Résistance du chauffage à 25°C (suffixe -H) (kΩ) : 10 ± 2
  • Puissance crête du chauffage (suffixe -H) (W) : 16,1
  • Tension DC maximale du chauffage (suffixe -H) (V) : 24
  • Boîtier : TO-36 personnalisé
  • Plage de température stockage (°C) : -55 à 125
  • Plage de température fonctionnement (°C) : -55 à 125
  • Plage de température fonctionnement pour suffixe -H (°C) : -40 à 85
  • Tension maximale du chauffage (V) : 12

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