Module photodiode à avalanche (APD) C30737MH-500-90N

Aperçu produit
Le C30737MH-500-90N est une photodiode avalanche au silicium (APD) présentant un diamètre actif de 500 µm et une sensibilité renforcée autour de 900 nm, fournie en boîtier Leadless Laminated Carrier (LLC).

Caractéristiques clés

• Haute responsivité entre 500 et 1000 nm
• Faible bruit et temps de montée très court sur toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 380 MHz
• Diamètre actif 500 µm, optimisée pour une sensibilité maximale à 900 nm
• Option de boîtier Leadless Laminated Carrier « MH »

Applications

• LiDAR
• Télémétrie laser (range finding)
• Scanners de sécurité
• Applications où un détecteur performant et économique est requis

Caractéristiques / spécifications techniques

• Diamètre actif : 500 μm
• Longueur d'onde de sensibilité maximale : 900 nm
• Tension de claquage (Vbd) : 180–260 (binning disponible)
• Coefficient de température de Vop pour M constant : 1,3 V/°C
• Gain : 100 @ 900 nm
• Responsivité : 60 A/W à 800 nm
• Courant d'obscurité (Id) : 0,1 à <1 nA
• Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
• Capacité : 1 pF
• Temps de montée/descente : 0,9 ns (charge R = 50 Ω)
• Fréquence de coupure : 380 MHz
• Température de stockage : -50°C à +100°C
• Température de fonctionnement : -40°C à +85°C
• Boîtier : FR4 époxy 2 × 1,75 mm top-looking, leadless laminated carrier (LLC)