Module photodiode à avalanche (APD) C30737LH-300-72N

Aperçu du produit :
La photodiode avalanche en silicium C30737LH-300-72N (Si APD) offre un diamètre actif de 300 µm, une sensibilité renforcée autour de 800 nm et un filtre optique passe-bande à 905 nm dans un boîtier céramique sans pattes (LCC). Conçue pour une détection rapide et basse bruit en boîtier compact.

Caractéristiques clés :

• Haute responsivité avec filtre optique intégré à 905 nm
• Faible bruit et temps de montée très rapide ; réponse en fréquence supérieure à 700 MHz
• Diamètre actif de 300 µm optimisé pour 800 nm
• Fenêtre avec filtre passe-bande 905 nm
• Option de boîtier céramique sans pattes "LH"

Applications :

• Télémètres laser
• Mesureurs de distance et instruments topographiques
• Systèmes de balayage pour sécurité et détection d'aire
• Applications nécessitant un détecteur performant à moindre coût

Caractéristiques techniques :

• Diamètre actif : 300 µm
• Longueur d'onde de sensibilité maximale : 905 nm
• Tension de claquage Vbd : 110-165 V
• Coefficient de température de Vop pour M constant : 0,6 V/°C
• Gain : 100 @ 800 nm
• Responsivité : 35 A/W à 905 nm
• Courant d'obscurité Id : 1 nA
• Courant de bruit : 0,2 pA/√Hz
• Capacitance : 0,7 pF
• Fréquence de coupure : 700 MHz
• Température de stockage : -40 °C à +100 °C
• Température de fonctionnement : -20 °C à +60 °C
• Boîtier : support céramique sans pattes 3x3 mm avec fenêtre en verre (LCC)
• Fenêtre : filtre 905 nm