Module photodiode à avalanche (APD) C30659-900-R5BH

Présentation
La série C30659 intègre une photodiode avalanche en silicium (Si APD) associée à un préamplificateur hybride dans un boîtier TO-8 étanche pour une détection à très faible bruit. La variante C30659-900-R5BH embarque une APD Si C30902EH avec une réponse maximale à 900 nm et un diamètre actif de 0,5 mm.

Principales caractéristiques et description fonctionnelle
Le module utilise une topologie d'amplificateur inverseur avec un suiveur d'émetteur en sortie. L'étage préamplificateur emploie un FET GaAs très faible bruit pour atteindre une transimpédance supérieure à celle des modules standard de la série C30950. Les APD Si de la famille C30659 correspondent aux dispositifs utilisés dans les produits C30817EH, C30902EH, C30954EH et C30956EH ; des APD InGaAs sont utilisés dans les variantes C30645EH et C30662EH. Ces détecteurs offrent une bonne sensibilité dans le proche infrarouge et le visible et présentent des temps de montées/descente rapides sur l'ensemble des longueurs d'onde.

Applications

• Photodétection à faible bruit nécessitant des boîtiers compacts et hermétiques
• Systèmes exigeant une réponse temporelle rapide et une préamplification à haute transimpédance

Caractéristiques techniques

• Bande passante système : 200 MHz
• Puissance équivalente de bruit (NEP) : 35 fW/√Hz à 830 nm ; 40 fW/√Hz à 900 nm
• Plage de réponse spectrale : 400 à 1100 nm
• Consommation typique : 150 mW
• Tensions de fonctionnement de l'amplificateur : ±5 V
• Capacité de charge AC 50 Ω (AC couplé)
• Boîtier TO-8 hermétiquement scellé
• Élément détecteur actif : C30902EH Si APD, réponse pic à 900 nm, diamètre actif 0,5 mm