Photodiode silicium C30845EH

infrarougeà quadrantssensible aux longueurs d'ondes

Présentation du produit
Le C30845EH est une photodiode PIN quadrante de type N en silicium, montée dans un boîtier TO-8 hermétique, conçue pour fonctionner sur une large plage spectrale du proche UV au proche IR. La grande surface active (50 mm², diamètre 8 mm) permet d'obtenir des informations de position fiables à partir de taches focalisées ou défocalisées en mode pulsé ou continu.

Caractéristiques

• Grande surface photosensible : 50 mm²
• Faible tension de fonctionnement (Vop) : 45 V
• Boîtiers TO-8 hermétiques
• Plage de réponse spectrale : 400 à 1100 nm (conçu 300 à 1100 nm)
• Très faible séparation entre quadrants : 0,25 mm

Applications / Remarques
Photodiode PIN quadrante de type N en boîtier TO-8 hermétique, adaptée aux applications broadband à faibles niveaux de lumière et à l'extraction d'informations de position à partir de taches focalisées ou défocalisées en fonctionnement pulsé ou continu.

Caractéristiques / spécifications techniques

• Diamètre actif (mm) : 8
• Surface active (mm²) : 50
• Tension de claquage minimale (V) : 100
• Capacitance typique par élément (pF) : 8
• Capacitance maximale par élément (pF) : 10
• Courant d'obscurité typique par élément à 10 V (nA) : 70
• Courant d'obscurité maximal par élément à 10 V (nA) : 200
• Courant d'obscurité typique par élément à 45 V (nA) : 200
• Courant d'obscurité maximal par élément à 45 V (nA) : 700
• Courant de bruit typique par élément à 900 nm (pA/√Hz) : 0,43
• Courant de bruit maximal par élément à 900 nm (pA/√Hz) : 1,80
• Courant de bruit typique par élément à 1060 nm (pA/√Hz) : 1,5
• Courant de bruit maximal par élément à 1060 nm (pA/√Hz) : 6,5
• Temps de montée typique (ns) : 6
• Temps de descente typique (ns) : 10
• Température de stockage (°C) : -60 à 100
• Température de fonctionnement (°C) : -40 à 80