Photodiode infrarouge C30737PH-500-90N

sensible aux longueurs d'ondesavalanchesilicium

Aperçu du produit
La photodiode avalanche au silicium C30737PH-500-90N (Si APD) présente un diamètre actif de 500 µm et est optimisée pour une sensibilité renforcée à 900 nm. Livrée en boîtier plastique T 1¾ traversant, elle offre une haute réactivité et une réponse temporelle rapide pour les applications de détection optique.

Caractéristiques clés

• Haute réactivité entre 500 et 1000 nm, avec pic autour de 900 nm
• Faible bruit et temps de montée très courts ; réponse en fréquence supérieure à 380 MHz
• Diamètre actif 500 µm optimisé pour la détection proche infrarouge
• Option boîtier plastique T 1¾ (PH)

Applications

• Systèmes LiDAR
• Télémètres laser
• Équipements de sécurité et de scan
• Applications à coût maîtrisé nécessitant un détecteur performant

Spécifications

• Diamètre actif : 500 µm
• Longueur d'onde de sensibilité maximale : 900 nm
• Tension de claquage Vbd : 180–260 V (binning disponible)
• Coefficient de température de Vop pour M constant : 1,3 V/°C
• Gain : 100 @ 900 nm
• Réactivité : 60 A/W à 800 nm
• Courant sombre Id : <1 nA
• Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
• Capacité : 1 pF
• Temps de montée/descente : 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
• Fréquence de coupure : 380 MHz
• Température de stockage : -50 °C à +100 °C
• Température de fonctionnement : -40 °C à +85 °C
• Boîtier : plastique T 1¾ traversant

Caractéristiques / spécifications techniques

• Diamètre actif : 500 µm
• Longueur d'onde de sensibilité maximale : 900 nm
• Tension de claquage Vbd : 180–260 V (binning disponible)
• Coefficient de température de Vop pour M constant : 1,3 V/°C
• Gain : 100 @ 900 nm
• Réactivité : 60 A/W à 800 nm
• Courant sombre Id : <1 nA
• Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
• Capacité : 1 pF
• Temps de montée/descente : 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
• Fréquence de coupure : 380 MHz
• Température de stockage : -50 °C à +100 °C
• Température de fonctionnement : -40 °C à +85 °C
• Boîtier : plastique T 1¾ traversant