Module photodiode à avalanche (APD) C30703FH

Description du produit
La photodiode avalanche en silicium (Si APD) C30703FH dispose d'une surface photosensible de 10 x 10 mm et est proposée en boîtier flat-pack, conçue pour la détection sur très grandes surfaces dans les applications de radiations et d'instrumentation. Le capteur présente une sensibilité renforcée aux courtes longueurs d'onde (bleu) avec un rendement quantique maximal autour de 530 nm, permettant un couplage efficace aux cristaux scintillateurs et un temps de réponse rapide.

Avantages & Caractéristiques:

• Rendement quantique élevé
• Faibles courants d'obscurité
• Couplage facile aux cristaux scintillateurs
• Immunité aux champs électromagnétiques
• Sensibilité renforcée aux courtes longueurs d'onde ; boîtiers sur mesure disponibles
• Excellente résolution temporelle
• Conforme RoHS

Applications:

• Physique des hautes énergies
• Détection des radiations
• Physique des particules
• Instrumentation
• Surveillance environnementale

Caractéristiques / Spécifications techniques:

• Surface active : 100 mm²
• Plage Vop : 275 - 425 V
• Capacitance : 100 pF
• Courant d'obscurité : 250 nA
• Courant de bruit : 0.5 pA/√Hz
• NEP : 40 fW/√Hz, 530 nm
• Boîtier : Flat-pack
• Longueur d'onde de sensibilité maximale : 530 nm
• Zone photosensible : 10 x 10 mm
• Temps de réponse : 5 ns
• Responsivité : 16 A/W à 530 nm