Photodiode infrarouge YAG-200-4
siliciumà quadrantsQPD

Photodiode infrarouge - YAG-200-4 - Excelitas Technologies - PCO - silicium / à quadrants / QPD
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Caractéristiques

Spécifications
infrarouge, silicium, à quadrants, QPD
Montage
PIN

Description

Description du produit
Les détecteurs quadrants Si PIN de la série YAG-200-4 d'Excelitas Technologies sont des photodiodes Si PIN de type N ou P fournies en boîtiers TO hermétiques. Ils assurent une réponse fiable sur la plage 400 nm–1100 nm avec une sensibilité IR renforcée optimisée pour la détection à 1064 nm. Une bague de garde collecte le courant généré en dehors de la zone active afin qu'il ne contribue pas au bruit. La grande surface active permet une détection de position précise sur taches focalisées ou défocalisées en mode impulsionnel ou continu.

Caractéristiques principales
  • Haute efficacité quantique à 1064 nm
  • Diaphonie <1% entre éléments
  • Absence de « zones mortes » entre quadrants (option P-type)
  • Type de boîtier : TO-can hermétique / TO-8 personnalisé
  • Disponible en configurations N et P ; options revêtement antireflet (-AR) et chauffage (-H)


Spécifications techniques
  • Nombre d'éléments : 4
  • Diamètre actif : 5,1 mm
  • Surface active par élément : 5,1 mm²
  • Capacitance typique par quadrant : 12 pF
  • Réponse typique à 900 nm : 0,60 A/W
  • Réponse typique à 1064 nm : 0,44 A/W
  • Réponse typique à 1064 nm pour suffixes -AR et -ARH : 0,47 A/W
  • Temps de montée typique (charge 50 Ω) : 12 ns
  • Tension d'utilisation maximale : 180 V
  • Tension de claquage minimale : 200 V
  • Capacitance typique par élément : 2 pF
  • Capacitance maximale par élément : 10 pF
  • Courant d'obscurité typique par élément : 10 nA
  • Courant d'obscurité maximal par élément : 50 nA
  • Courant de bruit typique par élément : 0,10 pA/√Hz
  • NEP à 900 nm par élément : 0,10 pW/√Hz
  • NEP à 1064 nm par élément : 0,15 pW/√Hz
  • Résistance du chauffage à 25°C (-H) : 10 ±2 kΩ
  • Puissance de crête du chauffage (-H) : 4 W
  • Tension DC maximale du chauffage (-H) : 12 V
  • Boîtier : TO-8 personnalisé (hermétique)
  • Température de stockage : -55 à 125 °C
  • Température de fonctionnement : -55 à 125 °C
  • Température de fonctionnement pour suffixe -H : -40 à 85 °C
  • Tension maximale du chauffage : 12 V


Applications type
  • Détection de position et alignement de faisceau à 1064 nm
  • Surveillance de lasers en systèmes impulsionnels et continus
  • Pointage de précision avec taches focalisées ou défocalisées
  • Instrumentations de laboratoire et intégration OEM


Informations de commande
  • Modèle de base : YAG-200-4
  • Suffixe -AR : revêtement antireflet (meilleure responsivité)
  • Suffixe -H ou -ARH : option chauffage intégrée pour contrôle thermique
  • Contacter le fournisseur pour configuration N ou P et boîtier personnalisé

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