Module photodiode à avalanche (APD) C30659-1550-R2AH

Présentation du produit
La série C30659 intègre une photodiode à avalanche (APD) en Silicium (Si) ou InGaAs associée à un préamplificateur hybride, dans le même boîtier hermétiquement scellé TO-8, pour un fonctionnement à très faible bruit. Le modèle C30659-1550-R2AH utilise une APD InGaAs C30662EH optimisée pour 1550 nm.

Fonctionnalités
La série C30659 adopte une topologie d'amplificateur inverseur avec un suiveur d'émetteur en sortie comme étage tampon. Les APD Si employées dans ces modules sont identiques à celles des références C30817EH, C30902EH, C30954EH et C30956EH ; les APD InGaAs correspondent aux produits C30645EH et C30662EH. Ces détecteurs offrent une très bonne réponse entre 830 et 1550 nm et des temps de montée/descente rapides sur toutes les longueurs d'onde. La section préamplificatrice utilise un étage d'entrée GaAs FET à très faible bruit conçu pour fonctionner à une transimpédance supérieure à celle de la série standard C30950.

Caractéristiques / spécifications techniques

• Bande passante système : 50 MHz
• Puissance équivalente de bruit ultra-faible (NEP) :
  • 150 fW/√Hz à 1300 nm
  • 130 fW/√Hz à 1550 nm
• Plage de réponse spectrale : pic à 1550 nm
• Consommation typique : 150 mW
• Tensions d'alimentation de l'amplificateur : ±5 V
• Capacité de charge AC 50 Ω (AC : couplé)
• Boîtier hermétiquement scellé TO-8
• Haute fiabilité