Photodiode infrarouge C30737LH-300-70N

sensible aux longueurs d'ondessiliciumavalanche

Description du produit :
Le C30737LH-300-70N est une photodiode avalanche en silicium (Si APD) offrant un diamètre actif de 300 µm et une sensibilité renforcée autour de 800 nm dans un boîtier céramique sans broches (LCC). Conçue pour la détection optique rapide avec une large responsivité et un faible bruit, elle convient aux télémètres laser et aux capteurs optiques de précision.

Caractéristiques clés :

• Responsivité élevée de 500 nm à 1000 nm, pic à 800 nm
• Faible bruit et temps de montée très rapide ; réponse en fréquence supérieure à 700 MHz
• Diamètre actif 300 µm optimisé pour 800 nm
• Option boîtier céramique sans broches LH (LCC)

Applications :

• Télémétrie laser et appareils de mesure de distance
• Balayage de zones et systèmes de sécurité
• Modules détecteurs optiques performants et économiques

Caractéristiques techniques :

• Diamètre actif : 300 µm
• Longueur d'onde de sensibilité maximale : 800 nm
• Tension de claquage (Vbd) : 110–165 V
• Coefficient de température de Vop pour M constant : 0,6 V/°C
• Gain : 100 @ 800 nm
• Responsivité : 55 A/W à 800 nm
• Courant d'obscurité : 1 nA
• Courant de bruit : 0,2 pA/√Hz
• Capacitance : 0,7 pF
• Fréquence de coupure : 700 MHz
• Température de stockage : -40 °C à +100 °C
• Température de fonctionnement : -20 °C à +60 °C
• Boîtier : porteur céramique sans broches (LCC) 3×3 mm avec fenêtre en verre
• Fenêtre : fenêtre standard