Photodiode sensible aux longueurs d'ondes C30737MH-500-80N

siliciumLIDARavalanche

Présentation produit : La photodiode avalanche au silicium C30737MH-500-80N (APD) offre un diamètre actif de 500 µm avec une sensibilité renforcée à 800 nm. Fournie en boîtier leadless laminated carrier (LLC) dans un package FR4 époxy top-looking 2 × 1,75 mm, elle convient à la détection optique à grande vitesse.

Principales caractéristiques :

• Haute responsivité entre 500–1000 nm, optimisée pour 800 nm
• Faible bruit avec temps de montée/descente très courts et bande passante >1,3 GHz
• Gain ~100 à 800 nm
• Option boîtier Leadless Laminated Carrier « MH », package top-looking

Applications :

• LiDAR et systèmes de télémétrie laser
• Détection et mesure laser
• Détecteurs pour sécurité et scannage
• Solutions de détection optique performantes et économes

Caractéristiques techniques :

• Diamètre actif : 500 μm
• Longueur d’onde de sensibilité maximale : 800 nm
• Tension de claquage (Vbd) : 120–210 V (binning disponible)
• Coefficient de température de Vop (M constant) : 0,5 V/°C
• Gain : 100 @ 800 nm
• Responsivité : 50 A/W @ 800 nm
• Courant d’obscurité (Id) : <1 nA
• Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
• Capacitance : 2 pF
• Temps de montée/descente : 0,3 ns (Rload = 50 Ω)
• Fréquence de coupure : 1,3 GHz
• Température de stockage : -50°C à +100°C
• Température de fonctionnement : -40°C à +85°C
• Boîtier : 2 × 1,75 mm top-looking FR4 époxy, leadless laminated carrier (LLC)