Photodiode avalanche C30884EH

silicium

Présentation du produit
Le C30884EH est une photodiode avalanche au silicium (Si APD) offrant une grande capacité de modulation, une responsivité élevée et des temps de montée/descente rapides. Comme la caractéristique de temps de descente ne présente pas de 'queue', la responsivité est indépendante de la fréquence de modulation jusqu'à environ 400 MHz. Le détecteur utilise une structure 'reach-through' double-diffusée et est optimisé pour une forte responsivité à des longueurs d'onde inférieures à 1000 nm. Diamètre actif : 1 mm.

Boîtier
Le C30884EH est hermétiquement scellé derrière une fenêtre en verre plat dans un boîtier TO-5 modifié et profil bas.

Applications

• Communications optiques
• Télémétrie laser
• Systèmes de commutation à haute vitesse

Caractéristiques / spécifications techniques

• Responsivité : 85% typique à 900 nm
• Responsivité : 10% typique à 1060 nm
• Type d'appareil : Photodiode avalanche au silicium (Si APD)
• Zone active / diamètre : 1 mm (indiqué dans le titre du produit)
• Type de boîtier : TO-5 modifié profil bas, hermétiquement scellé derrière une fenêtre en verre plat
• Structure : 'reach-through' double-diffusée
• Forte capacité de modulation ; responsivité indépendante de la fréquence de modulation jusqu'à ~400 MHz en raison de l'absence de 'queue' au temps de descente
• Optimisé pour des longueurs d'onde inférieures à 1000 nm