Photodiode sensible aux longueurs d'ondes C30737LH-500-80N

siliciumavalancheinfrarouge

Description : Le C30737LH-500-80N est une photodiode avalanche en silicium (Si APD) avec un diamètre actif de 500 µm et une réponse spectrale renforcée autour de 800 nm. Fourni en boîtier céramique sans broches (LCC), il est conçu pour une détection rapide et une forte responsivité du visible au proche infrarouge.

Principales caractéristiques :

• Haute responsivité de 500 nm à 1000 nm
• Faible bruit et temps de montée très courts ; réponse en fréquence supérieure à 1,3 GHz
• Diamètre actif 500 µm, optimisé pour une sensibilité maximale à 800 nm
• Option boîtier céramique sans broches (« LH ») pour compatibilité montage surface compacte

Applications :

• Systèmes LiDAR
• Télémétrie laser
• Instrumentation de sécurité et de scan
• Applications sensibles au coût nécessitant un détecteur performant

Spécifications techniques :

• Diamètre actif : 500 µm
• Longueur d'onde de sensibilité maximale : 800 nm
• Tension de claquage Vbd : 120–210 V (tri disponible)
• Coefficient de température de Vop pour M constant : 0,5 V/°C
• Gain : 100 à 800 nm
• Responsivité : 50 A/W à 800 nm
• Courant d'obscurité Id : 0,1–1 nA
• Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
• Capacitance : 2 pF
• Temps de montée/descente : 0,3 ns (R charge = 50 Ω)
• Fréquence de coupure : 1,3 GHz
• Température de stockage : -50 °C à +100 °C
• Température de fonctionnement : -40 °C à +85 °C
• Boîtier : fenêtre en verre 3 x 3 mm, boîtier céramique sans broches (LCC)
• Fenêtre : standard