Photodiode infrarouge YAG-444

siliciumsensible aux longueurs d'ondesPIN

Présentation La série YAG d'Excelitas Technologies regroupe des détecteurs Si PIN de type N ou P, fournis en boîtiers TO hermétiques. Leur grande surface active et la conception avec anneau de garde les rendent adaptés à la détection de position et de puissance pour des applications laser en laboratoire et en milieu industriel.

Performances Ces photodiodes offrent une réponse fiable sur la plage spectrale 400 nm à 1100 nm, avec une sensibilité IR renforcée optimisée pour la détection à 1064 nm. L'anneau de garde collecte le courant généré hors de la zone active afin d'éviter qu'il n'augmente le bruit. Le grand diamètre actif de 11.3 mm permet des mesures précises sur des taches focalisées ou défocalisées en modes pulsé et CW.

Principaux avantages

• Haute efficacité quantique à 1064 nm
• Boîtiers hermétiques TO-5 / TO-36 disponibles
• Configurations disponibles : N-type et P-type
• Diamètre actif : 11.3 mm (surface active 100 mm²)

Caractéristiques techniques

• Diamètre actif (mm) : 11.3
• Surface active (mm²) : 100
• Capacitance typique (pF) : 35
• Responsivité typique à 900 nm (A/W) : 0.60
• Responsivité typique à 1064 nm (A/W) : 0.44
• Responsivité typique à 1064 nm suffixe -AR (A/W) : 0.47
• Temps de montée typique, charge 50Ω (ns) : 12
• Tension maximale de service (V) : 180
• Tension minimale de claquage (V) : 200
• Courant d'obscurité typique (nA) : 80
• Courant d'obscurité maximal (nA) : 200
• Courant de bruit typique (pA/√Hz) : 0.16
• NEP à 1064 nm (pW/√Hz) : 0.23
• Boîtier : TO-36 personnalisé
• Température de stockage (℃) : -55 à 125
• Plage de température de fonctionnement (℃) : -55 à 125