Photodiode à quadrants C30927EH-03

siliciumsensible aux longueurs d'ondesQPD

Description du produit
La photodiode avalanche en silicium quadrante C30927EH-03 présente une structure doublement diffusée de type « reach-through » avec un diamètre utile de 1,55 mm. La conception en quadrants utilise une jonction d'avalanche commune et sépare les quadrants par la segmentation de la surface p+ d'entrée lumineuse opposée à la jonction, éliminant ainsi les zones mortes entre éléments et préservant la réponse en incidence. Le composant est optimisé pour une utilisation à 800 nm et offre une haute réactivité et une réponse rapide lorsqu'il est utilisé dans ±50 nm de la longueur d'onde nominale.

Principales caractéristiques

• Angle complet pour surface photosensible totalement illuminée supérieur à 90°
• Haute efficacité quantique optimisée pour 800 nm
• Temps de réponse rapide (montée/descente typique : 3 ns)
• Grande surface active : 1,77 mm²
• Boîtier TO-8 à profil bas, étanche

Applications

• Suivi (tracking)
• Alignement
• Identification ami/ennemi

Caractéristiques techniques / spécifications

• Plage de tension de claquage (V) : 350 à 485
• Tension de claquage typique (V) : 425
• Gain typique (M) : 100
• Coefficient de température typique pour gain constant (V/°C) : 2,4
• Réactivité minimale à 800 nm (A/W) : 45
• Réactivité typique à 800 nm (A/W) : 55
• Courant d'obscurité total typique (nA) : 100
• Courant d'obscurité total maximal (nA) : 200
• Courant de bruit typique par élément (pA/√Hz) : 1,0
• Courant de bruit maximal par élément (pA/√Hz) : 1,5
• Capacitance totale typique de tous les quadrants (pF) : 3
• Capacitance totale maximale de tous les quadrants (pF) : 5
• Résistance de série maximale (Ω) : 15
• Temps de montée et de descente typiques (ns) : 3
• Température de stockage (°C) : -60 à 120
• Température de fonctionnement (°C) : -40 à 60