Photodiodes InGaAs

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photodiode InGaAs
photodiode InGaAs

... Les photodiodes et les LED de Jenoptik s'intègrent facilement dans vos systèmes existants ou s'adaptent aux applications optoélectroniques et permettent également de se passer de filtres externes. Photodiodes ...

photodiode InGaAs
photodiode InGaAs
G15553 series

... - Zone active G15553-003C : φ0.3 mm - Boîtier miniature : 2 × 2 × 1 mm - Tolérance de position précise de la puce : ±0,075 mm La puce de ce produit n'est pas scellée et est exposée. Les parties telles que les électrodes sur la puce ne ...

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HAMAMATSU
photodiode InGaAs
photodiode InGaAs
G12183-210KA-03

... Type de longue longueur d'onde (longueur d'onde de coupure : 2,55 μm) Caractéristiques - Longueur d'onde de coupure : 2,55 μm - Refroidi par TE en deux étapes - Faible coût - Zone photosensible : φ1 mm - Faible niveau de bruit - Haute ...

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HAMAMATSU
photodiode InGaAs
photodiode InGaAs
G1-32 series

... Nous avons disposé la photodiode et la lentille dans des positions optimales de sorte que cette photodiode PIN InGaAs de type réceptacle réduit considérablement les réflexions multiples ...

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photodiode InGaAs
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C10439-15

... Intègre une photodiode pour la photométrie de précision avec un amplificateur à faible bruit [Zone photosensible : 2.4 × 2,4 mm (Si), φ1 mm (InGaAs), détecteur bicolore intégré] Les modules de photodiodes ...

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photodiode InGaAs
photodiode InGaAs
G14858-0020AA

... InGaAs APD qui réduit considérablement le courant d'obscurité Cette APD (photodiode à avalanche) InGaAs réduit considérablement le courant d'obscurité par rapport aux produits existants ...

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HAMAMATSU
photodiode InGaAs
photodiode InGaAs
G8931 series

... Le G8931-04 est un APD InGaAs qui fournit une réponse à haut débit de 2,5 Gbps nécessaire pour les communications par fibre optique de ligne principale telles que SONET (réseau optique synchrone), G-PON (réseau optique ...

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HAMAMATSU
photodiode InGaAs
photodiode InGaAs
XSJ-10-APD5-40

... Description Cette puce à photodiode à avalanche 10Gbps (puce APD) est une sorte de structure d'électrode terre-signal-terre (GSG), avec une taille de zone active éclairée par le haut est de Φ40μm. Les caractéristiques ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
photodiode InGaAs
photodiode InGaAs
XSJ-10-APD5-40S-X

... Description La puce de détection optique APD 10Gbps est une structure d'électrode GSG, pour l'avant dans la lumière de la puce de détection de lumière à avalanche à grande vitesse, la taille de la zone photosensible est de 40um, les ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
photodiode InGaAs
photodiode InGaAs
XSJ-10-APD4-50

... Description La puce à photodiode à avalanche (puce APD) est un type de dispositif actif qui fournit un gain intégré et amplifie le photocourant. Les caractéristiques de ce produit sont l'anode sur le dessus et la cathode ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
photodiode InGaAs
photodiode InGaAs
XSJ-10-D4-60

... Description Cette puce photodiode 3,1 Gbps est une structure planaire InGaAs/InP PIN et une puce photodiode numérique à éclairage par le haut, la taille de la zone active est de Φ60μm. ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
photodiode InGaAs
photodiode InGaAs
XSJ-10-APD4-50T

... Description La puce à photodiode à avalanche (puce APD) est un type de dispositif actif qui fournit un gain intégré et amplifie le photocourant. Les caractéristiques de ce produit sont l'anode sur le dessus et la cathode ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
photodiode InGaAs
photodiode InGaAs
XSJ-10-APD4-50G

... Description La puce à photodiode à avalanche (puce APD) est un type de dispositif actif qui fournit un gain intégré et amplifie le photocourant. Les caractéristiques de ce produit sont l'anode sur le dessus et la cathode ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
photodiode InGaAs
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XSJ-10-SPD-51

... Description Cette puce photodiode à haute sensibilité (super puce PD) est une structure planaire InGaAs/InP. Ses caractéristiques sont une haute réactivité, une faible capacité et un faible courant d'obscurité. ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
photodiode InGaAs
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XSJ-10-D3-70-04

... Description Cette puce photodiode 2,5Gbps est une structure planaire InGaAs/InP PIN et une puce photodiode numérique à éclairage par le haut, la taille de la zone active est de Φ70μm. ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
photodiode InGaAs
photodiode InGaAs
XSJ-10-APD4-55-01

... Description La puce à photodiode à avalanche (puce APD) est un type de dispositif actif qui fournit un gain intégré et amplifie le photocourant. Les caractéristiques de ce produit sont l'anode sur le dessus et la cathode ...

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photodiode InGaAs
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XSJ-10-M-200-01

... Description Cette puce de photodiode PIN de contrôle InGaAs/InP à éclairage par le haut présente une grande surface active, dont la structure est planaire, anode en haut et cathode en bas. La taille ...

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photodiode avalanche
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... e produit de haute fiabilité Lumentumum 1310/1550 nm 10G XFP ROSA, conçu spécifiquement pour l'émetteur-récepteur XFP, offre d'excellentes performances sur des températures de fonctionnement prolongées dans des applications à grande vitesse ...

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EPM 6xx-series

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IAG Series

... germanium. InGaAs APD 1100 - 1700 nm Les photodiodes à avalanche InGaAs détectent dans la gamme spectrale de 1100 nm à 1700 nm. Les APDs de la série IAG présentent des seuils de dommages ...

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