Module photodiode à avalanche (APD) C30659-1060E-R8BH

Aperçu du produit
Le C30659-1060E-R8BH est un récepteur Avalanche Photodiode en silicium (APD Si) avec préamplificateur hybride intégré, présenté dans un boîtier TO-8 hermétique. Il utilise un élément APD C30954EH optimisé pour 1060 nm et un diamètre actif de 0,8 mm, offrant une détection à faible bruit et un tampon de sortie en suiveur d'émetteur pour l'adaptation du signal.

Performances et conception
Le module intègre un étage d'entrée GaAs FET à très faible bruit et une topologie d'amplificateur inverseur. Les éléments APD de la gamme (C30954EH et autres) fournissent une bonne sensibilité entre 400 et 1100 nm, avec des performances notables jusqu'à 1550 nm pour les détecteurs apparentés. Le préamplificateur est conçu pour une transimpédance supérieure à celle de la série C30950, permettant des temps de montée/descente rapides et une bande passante système atteignant 200 MHz.

Spécifications

• Série : C30659
• Référence : C30659-1060E-R8BH
• Élément APD : C30954EH (APD silicium), longueur d'onde optimisée 1060 nm
• Diamètre actif : 0,8 mm
• Bande passante système : 200 MHz
• NEP : 55 fW/√Hz @ 900 nm ; 100 fW/√Hz @ 1064 nm
• Réponse spectrale : 400–1100 nm (bonne réponse 830–1550 nm pour la famille)
• Préalmpificateur : préamplificateur hybride avec entrée GaAs FET très faible bruit
• Topologie de l'amplificateur : amplificateur inverseur avec tampon suiveur d'émetteur
• Tensions de fonctionnement : ±5 V
• Charge de sortie : 50 Ω (couplage AC)
• Consommation typique : 150 mW
• Boîtier : TO-8 hermétique