DescriptionLa photodiode au silicium VTB8440H, améliorée pour le bleu, est logée dans un boîtier céramique encastré de 8 mm avec protection en époxy transparente. Elle offre une réponse renforcée dans le domaine spectral du bleu tout en présentant une très haute résistance de shunt et un faible courant d'obscurité, adaptée aux mesures optiques de précision.
Le dispositif propose une surface active de 5,16 mm² et une réponse spectrale de 320 nm à 1100 nm. Conçue en photodiode plane P-on-N, la VTB8440H est optimisée pour une réponse efficace dans la partie visible du spectre et fonctionne de préférence en mode photovoltaïque.
Principalement destinée à une utilisation en mode photovoltaïque, la photodiode peut être utilisée avec une faible polarisation inverse si nécessaire. Sa très haute résistance de shunt limite les décalages en cas d'utilisation avec des amplificateurs transimpédance à gain élevé, améliorant la stabilité et la précision des mesures.
Caractéristiques et avantages- Gamme spectrale UV à proche IR (320–1100 nm)
- Linéarité de 1 %–2 % sur 7 à 9 décades
- Courant d'obscurité très faible (≤ 2 nA à 2 V polarisation inverse)
- Très haute résistance de shunt pour de faibles offsets en circuits à gain élevé
- Conforme RoHS
Applications- Détection UV et lumière bleue
- Luxmètres et instruments photométriques
- Surveillance de flammes
- Photométrie et détecteurs de laboratoire
Caractéristiques techniques- Surface active : 5,16 mm²
- Courant de court-circuit : Min. 35 µA à 100 fc, 2850 K
- Courant d'obscurité : Max. 2 nA à 2 V polarisation inverse
- Capacité de jonction : Typ. 1,0 nF à 0 V de polarisation
- Plage spectrale : 320 nm à 1100 nm
- Réponse spectrale pic : 920 nm
- Sensibilité à la longueur d'onde pic : Typ. 0,5 A/W
- Réponse angulaire : ±50° à 50 % de réponse
- Boîtier : boîtier céramique encastré 8 mm avec protection époxy transparente
- Construction : photodiode plane P-on-N en silicium, optimisée pour la réponse visible
- Mode de fonctionnement : principalement photovoltaïque ; peut être utilisée avec une faible polarisation inverse ; très haute résistance de shunt adaptée aux amplificateurs transimpédance à gain élevé