Module photodiode à avalanche (APD) C30817EH

Description
La photodiode avalanche en silicium C30817EH (Si APD) est un détecteur polyvalent à grande vitesse, conçu sur une structure reach-through à double diffusion. Elle offre une haute sensibilité sur la plage spectrale 400–1100 nm, des temps de montée/descente rapides (~2 ns) et une caractéristique de décroissance sans queue, garantissant une réponse stable jusqu'à environ 200 MHz. L'appareil est hermétiquement scellé derrière une fenêtre en verre plat dans un boîtier TO-5 profil bas modifié ; diamètre de la zone active : 0,8 mm.

Caractéristiques clés

• Haute efficacité quantique
  • 85 % typique à 900 nm
  • 18 % typique à 1060 nm
• Réponse spectrale : 400–1100 nm
• Temps de réponse rapide : temps de montée et de descente typiquement 2 ns
• Temps de descente sans queue — performance stable à hautes fréquences de modulation
• Boîtier TO-5 hermétique profil bas avec fenêtre en verre plat

Applications

• Détection et surveillance laser
• Télémétrie optique et sous-systèmes LIDAR
• Communications optiques et récepteurs
• Commutation haute vitesse et mesures pulsées
• Mesures de temps de transit et timing

Spécifications

• Répondance : 75 A/W à 900 nm
• Répondance : 18 A/W à 1060 nm

Spécifications techniques

• Modèle : C30817EH
• Type de détecteur : Photodiode avalanche en silicium (Si APD)
• Plage spectrale active : 400–1100 nm
• Diamètre de la zone active : 0,8 mm
• Efficacité quantique : 85 % typique à 900 nm ; 18 % typique à 1060 nm
• Répondance : 75 A/W à 900 nm ; 18 A/W à 1060 nm
• Temps de réponse : montée et descente typiquement 2 ns ; temps de descente sans queue
• Fréquence de modulation : réponse stable jusqu'à ~200 MHz
• Boîtier : TO-5 profil bas modifié, hermétiquement scellé derrière une fenêtre en verre plat