Photodiode infrarouge C30737LH-230-80N

sensible aux longueurs d'ondessiliciumLIDAR

Présentation
La photodiode avalanche au silicium C30737LH-230-80N (Si APD) est optimisée pour une sensibilité renforcée à 800 nm. Elle possède un diamètre actif de 230 µm et est fournie dans un boîtier céramique sans broches (LCC), adaptée aux assemblages détecteurs compacts.

Principales caractéristiques

• Haute responsivité de 500 à 1000 nm, pic à 800 nm
• Faible bruit d'obscurité et temps de montée très rapides ; réponse en fréquence > 1,5 GHz
• Diamètre actif : 230 µm, optimisé pour 800 nm
• Boîtier céramique sans broches (LCC) pour intégration compacte

Applications

• Systèmes LiDAR
• Télémétrie laser
• Détection pour scanners et sécurité
• Modules de détection optique performants et à faible coût

Spécifications techniques

• Diamètre actif : 230 µm
• Longueur d'onde de sensibilité maximale : 800 nm
• Tension de claquage (Vbd) : 120–210 V (tri disponible)
• Coefficient de température de Vop pour M constant : 0,5 V/°C
• Gain : 100 @ 800 nm
• Responsivité : 50 A/W à 800 nm
• Courant d'obscurité Id : 0,05–<0,5 nA
• Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
• Capacitance : 1 pF
• Temps de montée/descente : 0,2 ns (R charge = 50 Ω)
• Fréquence de coupure : 1,5 GHz
• Température de stockage : -50 °C à +100 °C
• Température de fonctionnement : -40 °C à +85 °C
• Boîtier : fenêtre en verre 3 × 3 mm, boîtier céramique sans broches (LCC)
• Fenêtre : standard