Photodiode sensible aux longueurs d'ondes C30724EH
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Photodiode sensible aux longueurs d'ondes - C30724EH - Excelitas Technologies - PCO - avalanche / silicium / infrarouge
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Caractéristiques

Spécifications
sensible aux longueurs d'ondes, avalanche, silicium, infrarouge

Description

Présentation du produit
La photodiode avalanche au silicium C30724EH (Si APD) présente un pic de sensibilité à 920 nm dans un boîtier TO-18 métallique étanche. Elle offre un faible coefficient de température et une réponse rapide, adaptée aux applications de télémétrie laser 905 nm et aux capteurs industriels.

Description de la série
La série C30724 fournit une haute responsivité entre 800 et 950 nm avec des temps de montée et de descente d'environ 5 ns et sans traînée sur la descente. Conçues pour la production en grande série pour la télémétrie laser 905 nm, ces APD peuvent fonctionner sous polarisation fixe sans compensation active de température.

Caractéristiques principales:
  • APD Si avec filtre 905 nm intégré dans un boîtier métallique TO-18
  • Temps de montée et de descente ≈ 5 ns, sans traînée sur la descente
  • Fonctionnement à faible gain
  • Faible coefficient de température — pas de compensation thermique requise

Applications principales:
  • Télémétrie laser
  • Mesureur de distance laser
  • Radar de vitesse pour la circulation

Caractéristiques / spécifications techniques:
  • Surface active : 0,2 mm²
  • Diamètre actif : 0,5 mm
  • Tension de claquage : 350 V
  • Capacité : 1 pF
  • Courant d'obscurité : 20 nA
  • Gain : >12, 15, <18
  • Courant de bruit : 0,1 pA/√Hz
  • Boîtier : TO-18
  • Longueur d'onde de sensibilité maximale : 920 nm
  • Responsivité : 8,5 A/W à 920 nm
  • Temps de montée/descente : 5 ns
  • Courant d'obscurité total (volume + surface) : 20 nA
  • Plage de tension d'exploitation : 150-200 V
  • Plage de longueurs d'onde : 400-1100 nm

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