SCT4013DE est un MOSFET SiC qui contribue à la miniaturisation et à la faible consommation d'énergie des applications. Il s'agit d'un produit de 4ème génération qui permet d'atteindre une faible résistance à l'enclenchement sans sacrifier la résistance aux courts-circuits.
Avantages du SiC MOSFET de 4ème génération de ROHM
Cette série présente une réduction d'environ 40% de la résistance à l'état passant et d'environ 50% de la perte de commutation par rapport aux produits conventionnels. La tension grille-source de 15V facilite la conception des applications.
Faible résistance à l'état passant
Vitesse de commutation rapide
Récupération inverse rapide
Facile à mettre en parallèle Simple à piloter
Placage de plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.
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