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Module transistors MOSFET SCT2H12NY
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Caractéristiques

Type: MOSFET
Technologie: de commutation, de puissance
Autres caractéristiques: en silicium
Courant: 4 A
Tension: 1 700 V

Description

MOSFET de puissance à canal N en SiC (carbure de silicium). Faible résistance à l'enclenchement Vitesse de commutation rapide Longue ligne de fuite sans fil central Simple à piloter Plombage sans plomb ; conforme à la directive RoHS

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Ceci est une traduction automatique (voir l’original en anglais)

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