MOSFET à grande vitesse SCT4013DTWHR

résistance haute tensionSiCpour applications automobiles

Aperçu Ce MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK pour montage en surface place la surface de dissipation thermique sur le dessus du boîtier, offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants tout en permettant l'assemblage automatisé. La structure de rainure propriétaire de ROHM assure une distance de fuite minimale de 6,66 mm, permettant la prise en charge d'un pic de tension AC de 1200 V en environnement Pollution Degree 2. Le dispositif présente un faible RDS(on) et une commutation rapide, réduisant les pertes de commutation et améliorant l'efficacité dans les circuits de conversion d'énergie.

Contexte de développement L'adoption des dispositifs SiC s'étend des onduleurs principaux aux circuits de conversion auxiliaires (par ex. chargeurs embarqués et compresseurs électriques) afin d'améliorer la vitesse de charge et l'autonomie. Les dispositifs SiC à haute performance thermique utilisaient traditionnellement des boîtiers traversants, peu compatibles avec l'assemblage automatisé et les conceptions à faible profil. Ce produit fournit des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants dans un format SMD, facilitant l'assemblage automatisé et les designs bas sans sacrifier la capacité thermique.

Exemples d'applications

• Automobile : chargeurs embarqués (OBC), compresseurs électriques
• Onduleurs photovoltaïques
• Alimentations pour serveurs

Caractéristiques

• Qualifié AEC‑Q101 (grade automobile)
• Grande distance de fuite : min. 6,66 mm (structure en rainure)
• Boîtier TSC3PAK, dissipation thermique par le dessus, adapté à l'assemblage automatisé
• Faible résistance RDS(on)
• Vitesse de commutation élevée
• Récupération inverse rapide
• Facile à mettre en parallèle
• Exigences d'entraînement simples
• Placage sans plomb ; conforme RoHS

Spécifications de la pièce (résumé) Référence : SCT4013DTWHRTCR
Statut : Recommandé
Boîtier : TSC3PAK
Type d'emballage : Taping
Quantité unité : 600
Quantité minimale par emballage : 600
RoHS : Oui
MSL : 1

Caractéristiques / spécifications techniques

• Tension drain‑source (V) : 750 V
• Résistance d'état ON drain‑source (Typ.) (mΩ) : 13 mΩ
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant de drain (A) : 102 A
• Puissance dissipable totale (W) : 294 W
• Température jonction (Max.) (°C) : 175 °C
• Température de stockage (Min./Max.) (°C) : -40 / 175
• Dimensions du boîtier (mm) : 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Standard : AEC‑Q101 (grade automobile)
• Large distance de fuite permettant un pic AC 1200 V en Pollution Degree 2