MOSFET SiC SCT4050KTWHR

pour applications automobilesrésistance haute tensionà grande vitesse

Présentation
Ce composant est un MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK pour montage en surface. La structure de dissipation thermique sur la face supérieure place la surface de refroidissement sur le dessus du boîtier, permettant l'assemblage automatisé tout en offrant une dissipation thermique comparable aux boîtiers traversants. La structure de rainure propriétaire de ROHM garantit une distance de fuite (crépement) de 6,66 mm, supportant une tension crête AC de 1200 V en environnement de degré de pollution 2. Le dispositif intègre la 4e génération de MOSFET SiC (Trench) de ROHM pour obtenir une faible Rds(on) et une commutation haute vitesse, réduisant les pertes de commutation et améliorant l'efficacité des circuits de conversion d'énergie.

Caractéristiques

• Conforme à AEC-Q101 (grade automobile)
• Large distance de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance drain-source en conduction (Rds(on))
• Vitesse de commutation rapide et faibles pertes de commutation
• Récupération inverse rapide
• Facile à mettre en parallèle pour augmenter le courant
• Exigences de commande simples
• Placage des broches sans plomb ; conforme RoHS

Applications

• Systèmes automobiles : chargeurs embarqués (OBC), compresseurs électriques
• Inverseurs photovoltaïques
• Alimentations pour serveurs et télécom haute performance

Caractéristiques techniques

• Référence (variante page) : SCT4050KTWHRTCR
• Modèle : SCT4050KTWHR
• Boîtier : TSC3PAK (dissipation thermique par le dessus)
• Tension drain-source (Vdss) : 1200 V
• Courant de drain (Id) : 31 A
• Résistance drain-source en conduction (Typ.) (Rds(on)) : 50 mΩ
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Puissance dissipable totale : 128 W
• Température jonction (max) : 175 °C
• Température de stockage : -40 °C à 175 °C
• Dimensions du boîtier : 14.0 x 18.58 mm (épaisseur = 3.625 mm)
• Type d'emballage : Taping
• Quantité par unité / Quantité minimale : 600
• RoHS : Yes
• MSL : 1
• Norme : AEC-Q101 (Automotive Grade)
• Statut : Recommended

Conditionnement et remarques
Le TSC3PAK offre une solution SMD avec dissipation par le dessus, facilitant l'assemblage automatique tout en conservant des performances thermiques proches des boîtiers traversants. ROHM fournit des notes d'application et des ressources pour l'optimisation thermique et l'intégration système.