MOSFET résistance haute tension SCT4018KTW

à grande vitesseSiCpour applications automobiles

Vue d'ensemble
Il s'agit d'un MOSFET SiC de 4e génération (structure trench) en boîtier TSC3PAK SMD avec dissipation thermique par le dessus. La surface de dissipation positionnée sur la face supérieure permet l'assemblage automatique en SMT tout en offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants. Une structure de rainure propriétaire assure une distance de fuite de 6,66 mm, autorisant un pic de tension AC de 1200 V en environnement de pollution de degré 2. Le composant présente un faible RDS(on) et une commutation rapide, réduisant les pertes en commutation dans les applications de conversion d'énergie.

Résumé produit
1200 V, 79 A, MOSFET SiC SMD 9 broches (Trench), TSC3PAK, faible RDS(on)

Détails de la pièce
Référence | SCT4018KTWTCR
Statut | Recommandé
Boîtier | TSC3PAK (dissipation par le dessus)
Type d'emballage | Taping
Quantité par unité | 600
Quantité minimale par emballage | 600
RoHS | Oui
MSL | 1

Caractéristiques

• Large distance de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance à l'état passant (RDS(on) faible)
• Haute vitesse de commutation
• Récupération inverse rapide
• Facile à mettre en parallèle pour augmenter le courant
• Exigences de commande de grille simples
• Placage des broches sans plomb ; conforme RoHS

Contexte de développement
Le boîtier TSC3PAK place la surface de dissipation sur le dessus, conciliant performances thermiques élevées et format SMD pour l'assemblage automatique. La structure en rainure garantit 6,66 mm de distance de fuite, permettant une conception d'isolation sécurisée pour un pic AC de 1200 V en pollution degré 2. Associé à la technologie SiC trench de 4e génération de ROHM, le composant offre un faible RDS(on) et une commutation rapide pour réduire les pertes et améliorer l'efficience de conversion.

Exemples d'applications

• Chargeurs embarqués (xEV OBC)
• Compresseurs électriques pour xEV
• Onduleurs photovoltaïques (PV)
• Alimentations serveurs et autres systèmes d'alimentation industriels

Spécifications techniques

• Tension drain‑source (V) : 1200
• Résistance drain‑source à l'état passant (Typ.) (mΩ) : 18
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant de drain (A) : 79
• Puissance dissipable totale (W) : 294
• Température jonction (Max.) (°C) : 175
• Température de stockage (Min.) (°C) : -40
• Température de stockage (Max.) (°C) : 175
• Dimensions du boîtier (mm) : 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Boîtier : TSC3PAK (dissipation par le dessus)
• Conditionnement : Taping ; Quantité : 600 ; Quantité minimale : 600