MOSFET SiC SCT4018KTWHR

en carbure de siliciumpour applications automobilesà grande vitesse

Présentation
Ce MOSFET SiC est fourni en boîtier TSC3PAK, une solution CMS avec surface de dissipation thermique sur la face supérieure du boîtier. Il permet l’assemblage automatisé tout en offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants TO-247-4L. La structure de rainure propriétaire assure un chemin de fuite de 6,66 mm, prenant en charge une tension crête AC de 1200 V en environnement de pollution de degré 2. Le composant présente un faible RDS(on) et une commutation rapide pour réduire les pertes de commutation et améliorer l’efficacité des circuits de conversion d’énergie, adapté aux chargeurs embarqués (OBC), compresseurs électriques xEV, onduleurs PV et alimentations serveur hautes performances.

Contexte de développement
L’adoption du SiC s’étend des onduleurs principaux aux circuits de conversion d’énergie auxiliaires (par ex. OBC, compresseurs électriques) pour accélérer la charge et augmenter l’autonomie. Les dispositifs SiC classiques utilisaient des boîtiers traversants pour la dissipation thermique, limitant l’assemblage automatique et les conceptions à profil bas. Ce produit offre des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants dans un format CMS, permettant l’assemblage automatisé et une fiabilité améliorée au niveau carte.

Exemples d'application

• Automobile : chargeurs embarqués (OBC)
• Automobile : compresseurs électriques (xEV)
• Énergies renouvelables : onduleurs PV
• Data centers : alimentations serveur

Caractéristiques

• Qualifié AEC‑Q101 (grade automobile)
• Grand chemin de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance à l’état passant (RDS(on))
• Vitesse de commutation élevée
• Récupération inverse rapide
• Facilement parallélisable
• Commande de grille simple
• Placage des pattes sans plomb ; conforme RoHS

Caractéristiques techniques

• Référence : SCT4018KTWHRTCR
• Nom commercial : SCT4018KTWHR
• Statut : Recommandé
• Boîtier : TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm)
• Type d’emballage : Taping
• Quantité unitaire : 600
• Quantité minimale par emballage : 600
• RoHS : Oui
• MSL : 1
• Tension drain‑source (V) : 1200
• Résistance à l’état passant drain‑source (Typ.) (mΩ) : 18
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant drain (A) : 79
• Puissance dissipable totale (W) : 294
• Température jonction (Max.) (°C) : 175
• Température de stockage (Min.) (°C) : -40
• Température de stockage (Max.) (°C) : 175
• Dimensions du boîtier (mm) : 14,0 × 18,58 (ép = 3,625)
• Standard courant : AEC‑Q101 (Grade automobile)