MOSFET en carbure de silicium SCT4045DTW

pour applications automobilesrésistance haute tensionSiC

Vue d'ensemble
Ce MOSFET SiC (référence SCT4045DTW) est proposé en boîtier TSC3PAK pour montage en surface avec une structure de dissipation thermique par le dessus permettant l'assemblage automatisé tout en offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants conventionnels. La structure de rainure propriétaire de ROHM garantit une distance de fuite minimale de 6,66 mm, supportant des pics de tension AC jusqu'à 1200 V en environnement de pollution de degré 2. Le dispositif intègre la 4e génération de SiC MOSFET de ROHM pour un faible RDS(on) et une commutation rapide, améliorant l'efficacité de conversion d'énergie.

Principales caractéristiques

• Structure de dissipation par le dessus pour boîtier SMD avec performance thermique comparable aux boîtiers traversants
• Large distance de fuite : min. 6,66 mm (prise en charge de 1200 V AC pic en pollution degré 2)
• Faible résistance drain-source en conduction (RDS(on))
• Commutation haute vitesse
• Rapide récupération inverse
• Facile à associer en parallèle
• Exigences de commande de grille simples
• Plating sans plomb ; conforme RoHS

Exemples d'application

• Chargeurs embarqués (OBC) et compresseurs électriques pour xEV
• Onduleurs photovoltaïques
• Alimentations pour serveurs et équipements industriels haute efficacité

Informations sur le boîtier et la référence

• Référence complète (boîtier) : SCT4045DTWTCR
• Boîtier : TSC3PAK (montage en surface)
• Conditionnement : Taping
• Quantité par emballage : 600
• Quantité minimale par commande : 600
• RoHS : Oui
• MSL : 1

Caractéristiques techniques

• Modèle (nom commercial) : SCT4045DTW
• Tension drain-source (VDS) : 750 V
• Résistance drain-source en conduction (typ.) RDS(on) : 45 mΩ
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant de drain (ID) : 33 A
• Puissance dissipable totale : 106 W
• Température de jonction max. : 175 °C
• Plage de température de stockage : -40 à 175 °C
• Dimensions du boîtier (mm) : 14,0 x 18,58 (ép. = 3,625)

Ressources de conception

• Modèles SPICE/PLECS/PSIM, notes d'application et documents thermiques/packaging disponibles pour valider la conception thermique, le parallélisme et la commande de grille