MOSFET en carbure de silicium SCT4036KW7en carbure de silicium
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Caractéristiques
- Matériau
- en carbure de silicium
Description
Le SCT4036KW7 est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Il se caractérise par une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide.
Avantages du MOSFET SiC de 4ème génération de ROHM
Cette série présente une réduction d'environ 40 % de la résistance à l'enclenchement et d'environ 50 % de la perte de commutation par rapport aux produits conventionnels. La tension porte-source de 15V facilite la conception des applications.
Faible résistance à l'enclenchement
Vitesse de commutation rapide
Récupération rapide de l'inversion
Facile à mettre en parallèle
Simple à piloter
Plombage sans plomb ; conforme à la directive RoHS
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Catalogues
Power Device Catalog
36 Pages
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Silicon-carbide (SiC) Power Devices
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.