MOSFET à grande vitesse SCT4018KTW

en carbure de siliciumrésistance haute tensionSiC

Présentation
Produit : MOSFET en carbure de silicium (SiC) en boîtier TSC3PAK avec structure de refroidissement par le dessus. La surface de dissipation thermique située en partie supérieure du boîtier offre des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants classiques tout en permettant le montage automatisé. La structure de rainure propriétaire de ROHM garantit une distance de fuite importante (min. 6,66 mm), permettant de supporter une tension crête AC de 1200 V en environnement de pollution de degré 2. Le composant présente une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation rapides, réduisant les pertes de commutation et améliorant l'efficacité des conversions d'énergie.

Caractéristiques

• Grande distance de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance drain-source en conduction (typ. 18 mΩ)
• Vitesse de commutation élevée et récupération inverse rapide
• Facilement montable en parallèle et commande de grille simple
• Placage des fils sans plomb ; conforme RoHS

Boîtier / Images
Boîtier TSC3PAK (refroidissement par le dessus) ; dimensions du boîtier : 14,0 x 18,58 mm (t = 3,625).

Applications (exemples)

• Chargeurs embarqués et compresseurs électriques pour xEV
• Onduleurs photovoltaïques
• Alimentations pour serveurs

Informations sur la pièce
Référence | SCT4018KTWTCR
Statut | Recommandé
Boîtier | TSC3PAK
Type d'emballage | Taping
Quantité par unité | 600
Quantité minimale par emballage | 600
RoHS | Oui
MSL | 1

Spécifications techniques

• Tension drain-source (V) : 1200
• Résistance drain-source en conduction (typ.) (mΩ) : 18
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant de drain (A) : 79
• Puissance dissipée totale (W) : 294
• Température jonction (max.) (°C) : 175
• Température de stockage (min./max.) (°C) : -40 / 175
• Dimensions du boîtier (mm) : 14,0 x 18,58 (t = 3,625)